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MOSFET canal N onsemi 210 mA 50 V Enrichissement, 3 broches, SC-70 BSS138W

Code commande RS:: 903-4112
Numéro d'article Distrelec:: 304-44-720
Référence fabricant:: BSS138W
Marque:: onsemi

MOSFET canal N onsemi 210 mA 50 V Enrichissement, 3 broches, SC-70 BSS138W

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*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 903-4112
Numéro d'article Distrelec:: 304-44-720
Référence fabricant:: BSS138W
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	210mA
	Tension Drain Source maximum Vds	50V
	Série	BSS138W
	Type de Boitier	SC-70
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	6Ω
	Mode de canal	Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd	340mW
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension directe Vf	1.4V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20, +20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	1.1nC
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Largeur	1.25mm
	Normes/homologations	No
	Longueur	2mm
	Hauteur	0.9mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 210mA
	Tension Drain Source maximum Vds 50V
	Série BSS138W
	Type de Boitier SC-70
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 6Ω
	Mode de canal Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd 340mW
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension directe Vf 1.4V
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20, +20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 1.1nC
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Largeur 1.25mm
	Normes/homologations No
	Longueur 2mm
	Hauteur 0.9mm
	Standard automobile Non

BSS138W, N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor

Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.

Transistors MOSFET, ON Semi

On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

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