Références fabricant

MOSFET canal N onsemi 340 mA 60 V Enrichissement, 3 broches, SC-70 2N7002W AEC-Q101

Code commande RS:: 163-0841
Référence fabricant:: 2N7002WT1G
Marque:: onsemi

MOSFET canal N onsemi 340 mA 60 V Enrichissement, 3 broches, SC-70 2N7002W AEC-Q101

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3000 - 3000	0,036 €	108,00 €	-
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Code commande RS:: 163-0841
Référence fabricant:: 2N7002WT1G
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	340mA
	Tension Drain Source maximum Vds	60V
	Type de Boitier	SC-70
	Série	2N7002W
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	2.5Ω
	Mode de canal	Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd	330mW
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	0.7nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension directe Vf	880mV
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Longueur	2.2mm
	Normes/homologations	No
	Largeur	1.35mm
	Hauteur	900μm
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 340mA
	Tension Drain Source maximum Vds 60V
	Type de Boitier SC-70
	Série 2N7002W
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 2.5Ω
	Mode de canal Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd 330mW
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 0.7nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension directe Vf 880mV
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Longueur 2.2mm
	Normes/homologations No
	Largeur 1.35mm
	Hauteur 900μm
	Standard automobile AEC-Q101

Datasheet

Pays d'origine :: CN

Transistor MOSFET de puissance à canal N, 60 V, ON Semiconductor

Transistors MOSFET, ON Semiconductor

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