MOSFET P Infineon 150 mA 60 V Enrichissement, 3 broches, SC-70 SIPMOS AEC-Q101
- Code commande RS:
- 145-8835
- Référence fabricant:
- BSS84PWH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | la bobine* | Économie |
|---|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,044 € | 132,00 € | - |
| 6000 - 12000 | 0,042 € | 126,00 € | 12,00 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 145-8835
- Référence fabricant:
- BSS84PWH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 150mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | SIPMOS | |
| Type de Boitier | SC-70 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 25Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 300mW | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 1nC | |
| Tension directe Vf | -1.12V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 1.25mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 2mm | |
| Hauteur | 800μm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 150mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série SIPMOS | ||
Type de Boitier SC-70 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 25Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 300mW | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 1nC | ||
Tension directe Vf -1.12V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 1.25mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 2mm | ||
Hauteur 800μm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET Infineon série SIPMOS, tension de source de drain maximale de 60 V, courant de drain continu maximal de 150 mA - BSS84PWH6327XTSA1
Caractéristiques et avantages :
• Le courant de drain continu de 150 mA prend en charge les circuits à faible puissance
• Le Rds maximal de 25 Ω réduit les pertes lors de la commutation de charge légère
• La dissipation de puissance de 300 mW permet une gestion thermique soutenue
• La tolérance de grille de 20 V permet des niveaux d'entraînement de grille flexibles
• La charge de grille typique de 1 nC permet une commutation rapide et à faible consommation d'énergie
Applications
• Idéal pour le changement de niveau dans les circuits d'interface de capteur
• Utilisé avec la gestion de la batterie pour les chemins à faible courant
• Peut être utilisé pour la commutation de protection dans les unités télématiques
• Adapté aux chemins d'alimentation compacts de l'électronique grand public
Quelle plage environnementale peut-il tolérer dans les systèmes déployés?
Quel boîtier convient aux circuits imprimés à haute densité?
Comment la charge de grille affecte-t-elle les exigences d'entraînement?
Est-il compatible avec les normes de fiabilité automobile?
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