MOSFET STMicroelectronics canal N, D2PAK (TO-263) 42 A 710 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 783-2977
- Référence fabricant:
- STB57N65M5
- Marque:
- STMicroelectronics
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|---|---|
| 1 - 4 | 10,54 € |
| 5 - 9 | 10,02 € |
| 10 - 24 | 9,01 € |
| 25 - 49 | 8,12 € |
| 50 + | 7,70 € |
- Code commande RS:
- 783-2977
- Référence fabricant:
- STB57N65M5
- Marque:
- STMicroelectronics
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics
Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.
Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 42 A |
| Tension Drain Source maximum | 710 V |
| Type de boîtier | D2PAK (TO-263) |
| Série | MDmesh M5 |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 63 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 5V |
| Tension de seuil minimale de la grille | 3V |
| Dissipation de puissance maximum | 250 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -25 V, +25 V |
| Charge de Grille type @ Vgs | 98 nF @ 10 V |
| Longueur | 10.4mm |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Matériau du transistor | Si |
| Largeur | 9.35mm |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Hauteur | 4.6mm |
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