MOSFET canal N Vishay 630 mA 20 V Enrichissement, 3 broches, SC-75 Si1012CR

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20 - 1800,258 €5,16 €
200 - 4800,18 €3,60 €
500 - 9800,16 €3,20 €
1000 - 19800,14 €2,80 €
2000 +0,137 €2,74 €

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
787-9005
Référence fabricant:
SI1012CR-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

630mA

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Type de Boitier

SC-75

Série

Si1012CR

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1.1Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

-8V, +8V

Dissipation de puissance maximum Pd

240mW

Tension directe Vf

800mV

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

1.3nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

860μm

Hauteur

800μm

Normes/homologations

No

Longueur

1.68mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET canal N, de 8 à 25 V, Vishay Semiconductor


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


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