- Code commande RS:
- 791-7876
- Référence fabricant:
- STR2N2VH5
- Marque:
- STMicroelectronics
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Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Canal N STripFET™ V, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | N |
Courant continu de Drain maximum | 2,3 A |
Tension Drain Source maximum | 20 V |
Type de boîtier | SOT-23 |
Série | STripFET V |
Type de montage | CMS |
Nombre de broches | 3 |
Résistance Drain Source maximum | 40 mΩ |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil minimale de la grille | 0.7V |
Dissipation de puissance maximum | 350 mW |
Configuration du transistor | Simple |
Tension Grille Source maximum | -8 V, +8 V |
Longueur | 3.04mm |
Charge de Grille type @ Vgs | 6 nC @ 4,5 V |
Largeur | 1.75mm |
Matériau du transistor | Si |
Température d'utilisation maximum | +150 °C |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
Hauteur | 1.3mm |
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