MOSFET canal N IXYS 132 A 500 V Enrichissement, 3 broches, PLUS264 HiperFET, Polar3

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Code commande RS:
802-4348
Numéro d'article Distrelec:
302-53-300
Référence fabricant:
IXFB132N50P3
Marque:
IXYS
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Marque

IXYS

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

132A

Tension Drain Source maximum Vds

500V

Type de Boitier

PLUS264

Série

HiperFET, Polar3

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

39mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

250nC

Dissipation de puissance maximum Pd

1.89KW

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30V, +30V

Tension directe Vf

1.5V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

5.31mm

Normes/homologations

No

Longueur

20.29mm

Hauteur

26.59mm

Standard automobile

Non

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