MOSFET canal N IXYS 26 A 500 V Enrichissement, 3 broches, TO-3P HiperFET, Polar3

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Code commande RS:
802-4458
Numéro d'article Distrelec:
304-36-393
Référence fabricant:
IXFQ26N50P3
Marque:
IXYS
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Marque

IXYS

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

26A

Tension Drain Source maximum Vds

500V

Type de Boitier

TO-3P

Série

HiperFET, Polar3

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

240mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

42nC

Dissipation de puissance maximum Pd

500W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30V, +30V

Tension directe Vf

1.4V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

20.3mm

Longueur

15.8mm

Normes/homologations

No

Largeur

4.9mm

Standard automobile

Non

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