MOSFET IXYS canal N, PLUS247 150 A 300 V, 3 broches

Name: MOSFET IXYS canal N, PLUS247 150 A 300 V, 3 broches
Brand: IXYS
SKU: 802-4495
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Documentation technique

Une gamme de transistors MOSFETS de puissance à canal N, série IXYS Polar3™, avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™)

Transistors MOSFET, IXYS

Une large gamme de dispositifs de puissance discrets avancés MOSFET d'IXYS

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	150 A
Tension Drain Source maximum	300 V
Type de boîtier	PLUS247
Série	HiperFET, Polar3
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	19 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	5V
Dissipation de puissance maximum	1,3 kW
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit	1
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Longueur	16.13mm
Charge de Grille type @ Vgs	197 nC @ 10 V
Largeur	5.21mm
Matériau du transistor	Si
Hauteur	21.34mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C