MOSFET canal N onsemi 2.8 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 QFET

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Code commande RS:
808-9014
Référence fabricant:
FQD5N60CTM
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

2.8A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

TO-252

Série

QFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

2.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

15nC

Dissipation de puissance maximum Pd

49W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30V, +30V

Tension directe Vf

1.4V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

2.39mm

Longueur

6.73mm

Normes/homologations

No

Largeur

6.22mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET à canal N QFET®, jusqu'à 5,9 A, Fairchild Semiconductor


Les nouveaux transistors MOSFET planaires QFET® de Fairchild Semiconductor utilisent une technologie propriétaire avancée pour offrir de meilleures performances d'exploitation pour une large gamme d'applications : alimentations, correction de facteur de puissance, convertisseurs c.c./c.c., écrans plasma, ballasts d'éclairage et contrôle de mouvement.

Ils offrent une réduction des pertes à l'état passant en abaissant la résistance à l'état passant (RDS(on), et une perte de commutation réduite en abaissant la charge de grille (Qg) et la capacité de sortie (Coss). En utilisant la technologie du processus de pointe QFET®, Fairchild peut offrir un meilleure facteur de mérite que les dispositifs MOSFET planaires concurrents.

Transistors MOSFET, ON Semi


On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

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