MOSFET Vishay canal N, D2PAK (TO-263) 3,6 A 600 V, 3 broches

Code commande RS:: 815-2691
Référence fabricant:: SIHFBC30S-GE3
Marque:: Vishay

MOSFET Vishay canal N, D2PAK (TO-263) 3,6 A 600 V, 3 broches

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Code commande RS:: 815-2691
Référence fabricant:: SIHFBC30S-GE3
Marque:: Vishay

IRFBC30S, SiHFBC30S, IRFBC30L, SiHFBC30L, Power MOSFET

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Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	3,6 A
Tension Drain Source maximum	600 V
Type de boîtier	D2PAK (TO-263)
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	2,2 Ω
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille	2V
Dissipation de puissance maximum	74 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit	1
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Longueur	10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs	31 nC @ 10 V
Largeur	9.65mm
Matériau du transistor	Si
Hauteur	4.83mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

MOSFET Vishay canal N, D2PAK (TO-263) 3,6 A 600 V, 3 broches

Transistor MOSFET canal N, de 600 à 1 000 V, Vishay Semiconductor

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