MOSFET Infineon canal N, TDSON 42 A 100 V, 8 broches
- Code commande RS:
- 825-9250
- Référence fabricant:
- BSC160N10NS3GATMA1
- Marque:
- Infineon
70020 En stock pour livraison sous 2 jour(s)
Uniquement disponible en livraison standard
Ajouté
Prix pour l'unité (par multiple de 10)
0,555 €
HT
0,666 €
TTC
| Unité | Prix par unité | le paquet* |
| 10 + | 0,555 € | 5,55 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 825-9250
- Référence fabricant:
- BSC160N10NS3GATMA1
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor de puissance OptiMOS 3
Les transistors MOSFET de puissance OptiMOSTM 100 V d'Infineon offrent des solutions supérieures pour les SMPS à haut rendement et haute densité de puissance. Par rapport à la meilleure technologie suivante, cette famille réalise une réduction de 30 % de R DS(on) et FOM (figure de mérite).
Résumé des caractéristiques
- Excellentes performances de commutation
- R DS(on) le plus bas au monde
- Très faible Q g et Q gd
- Excellente charge de grille x produit R DS(on) (FOM)
- Conforme à la directive RoHS, sans halogène
- Norme MSL1 2
Avantages
- Respect de l'environnement
- Rendement accru
- Densité de puissance la plus élevée
- Moins de parallélisation nécessaire
- Consommation d'espace de carte la plus faible
- Produits faciles à concevoir
Applications potentielles
- Redressement synchrone pour alimentation à découpage c.a./c.c.
- Commande de moteur pour les systèmes 48-80 V (c.-à-d. véhicules domestiques, outils électriques, camions)
- Convertisseurs c.c.-c.c. isolés (systèmes de télécommunications et de communication de données
- Interrupteurs d'appel et disjoncteurs dans les systèmes 48 V
- Amplificateurs audio de classe D
- Alimentations sans interruption (ASI)
Transistors MOSFET, Infineon
Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 42 A |
| Tension Drain Source maximum | 100 V |
| Type de boîtier | TDSON |
| Série | OptiMOS 3 |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 8 |
| Résistance Drain Source maximum | 33 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 3.5V |
| Tension de seuil minimale de la grille | 2V |
| Dissipation de puissance maximum | 60 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Charge de Grille type @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Largeur | 6.35mm |
| Longueur | 5.35mm |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Matériau du transistor | Si |
| Hauteur | 1.1mm |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
- Code commande RS:
- 825-9250
- Référence fabricant:
- BSC160N10NS3GATMA1
- Marque:
- Infineon