MOSFET, Canal-N, 1,5 A 20 V TUMT, 3 broches

  • Code commande RS 826-7807
  • Référence fabricant RUF015N02TL
  • Marque ROHM
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Pays d'origine : TH
Détail produit

Transistors MOSFET canal N, ROHM

Transistors MOSFET, ROHM Semiconductor

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 1,5 A
Tension Drain Source maximum 20 V
Type de boîtier TUMT
Type de montage CMS
Nombre de broches 3
Résistance Drain Source maximum 310 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille 1V
Dissipation de puissance maximum 800 mW
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -10 V, +10 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Température d'utilisation maximum +150 °C
Longueur 2mm
Charge de Grille type @ Vgs 1,8 nC @ 4,5 V
Hauteur 0.77mm
Largeur 1.7mm
Matériau du transistor Si
150 En stock pour livraison sous 5 jour(s)
Prix pour l'unité (par multiple de 30)
0,299
HT
0,359
TTC
Unité
Prix par unité
le paquet*
30 - 60
0,299 €
8,97 €
90 - 150
0,284 €
8,52 €
180 - 330
0,184 €
5,52 €
360 - 690
0,175 €
5,25 €
720 +
0,166 €
4,98 €
*Prix donné à titre indicatif
.
Options de conditionnement :