- Code commande RS:
- 826-9462
- Référence fabricant:
- IPB042N03LGATMA1
- Marque:
- Infineon
Ce produit n’est plus distribué
- Code commande RS:
- 826-9462
- Référence fabricant:
- IPB042N03LGATMA1
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
Statut RoHS : Exempté
Détail produit
Transistors MOSFET de puissance OptiMOS™3 d'Infineon, jusqu'à 40 V
Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.
MOSFET à commutation rapide pour SMPS
Technologie optimisée pour convertisseurs c.c./c.c.
Homologué selon la norme JEDEC1 pour les applications ciblées
Canal N, niveau logique
Une excellente charge de grille x R DS(on) produit (FOM)
Très faible résistance R DS(on)
Placage compatible sans plomb
Technologie optimisée pour convertisseurs c.c./c.c.
Homologué selon la norme JEDEC1 pour les applications ciblées
Canal N, niveau logique
Une excellente charge de grille x R DS(on) produit (FOM)
Très faible résistance R DS(on)
Placage compatible sans plomb
Transistors MOSFET, Infineon
Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | N |
Courant continu de Drain maximum | 70 A |
Tension Drain Source maximum | 30 V |
Type de boîtier | D2PAK (TO-263) |
Type de montage | CMS |
Nombre de broches | 3 |
Résistance Drain Source maximum | 4,2 mΩ |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil maximale de la grille | 2.2V |
Tension de seuil minimale de la grille | 1V |
Dissipation de puissance maximum | 79 W |
Configuration du transistor | Simple |
Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V |
Charge de Grille type @ Vgs | 18 nC @ 4,5 V |
Largeur | 9.45mm |
Longueur | 10.31mm |
Matériau du transistor | Si |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Température d'utilisation maximum | +175 °C |
Série | OptiMOS 3 |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
Hauteur | 4.572mm |
- Code commande RS:
- 826-9462
- Référence fabricant:
- IPB042N03LGATMA1
- Marque:
- Infineon