MOSFET onsemi canal N, MicroFET 2 x 2 10 A 40 V, 6 broches

Code commande RS:: 864-8170
Référence fabricant:: FDMA8051L
Marque:: onsemi

MOSFET onsemi canal N, MicroFET 2 x 2 10 A 40 V, 6 broches

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Code commande RS:: 864-8170
Référence fabricant:: FDMA8051L
Marque:: onsemi

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Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	10 A
Tension Drain Source maximum	40 V
Type de boîtier	MicroFET 2 x 2
Série	PowerTrench
Type de montage	CMS
Nombre de broches	6
Résistance Drain Source maximum	19 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille	1V
Dissipation de puissance maximum	2,4 W, 900 mW
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Matériau du transistor	Si
Largeur	2mm
Charge de Grille type @ Vgs	14 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Nombre d'éléments par circuit	1
Longueur	2mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	0.75mm

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Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, de 10 A à 19,9 A, Fairchild Semiconductor

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