MOSFET canal N Infineon 38 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 CoolMOS C6

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897-7406
Référence fabricant:
IPW60R099C6FKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

38A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

TO-247

Série

CoolMOS C6

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

99mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

278W

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30V, +30V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

119nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

900mV

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

5.21mm

Longueur

16.13mm

Hauteur

21.1mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™C6/C7


Transistors MOSFET, Infineon


Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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