MOSFET N Infineon 61 A 250 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 OptiMOS FD
- Code commande RS:
- 898-6983P
- Référence fabricant:
- IPP220N25NFDAKSA1
- Marque:
- Infineon
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|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 898-6983P
- Référence fabricant:
- IPP220N25NFDAKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 61A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 250V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | OptiMOS FD | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 22mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 300W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 65nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 15.95mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 10.36mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 61A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 250V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série OptiMOS FD | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 22mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 300W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 65nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 15.95mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 10.36mm | ||
Standard automobile Non | ||
Statut RoHS non applicable
MOSFET Infineon OptiMOS série FD, courant de vidange continu maximal de 61A, dissipation de puissance maximale de 300W - IPP220N25NFDAKSA1
Ce MOSFET est conçu pour les applications de haute performance qui nécessitent une gestion efficace de la puissance. Grâce à sa configuration en mode d'amélioration à canal N et à ses spécifications robustes, il joue un rôle essentiel dans des secteurs tels que l'automatisation, l'électronique et les systèmes électriques. Il offre un courant de drainage continu maximum de 61A et une tension de claquage de 250V, ce qui garantit la fiabilité et les performances thermiques dans des environnements difficiles.
Caractéristiques et avantages
• La faible résistance à l'enclenchement augmente l'efficacité énergétique pendant le fonctionnement
• Capacité de courant élevée pour une gamme d'applications
• La température de fonctionnement élevée (jusqu'à +175°C) améliore la polyvalence
• Optimisé pour une commutation dure, contribuant à la robustesse et à la durabilité
• Conforme aux réglementations RoHS et sans halogène, favorisant le respect de l'environnement
• Des caractéristiques de charge de grille efficaces garantissent une commutation efficace
Applications
• Utilisé dans les circuits de conversion d'énergie pour les équipements d'automatisation
• Idéal pour les entraînements de moteurs à haute puissance dans les machines industrielles
• Couramment utilisés dans les alimentations électriques des appareils électroniques
• Convient aux systèmes de gestion de l'énergie dans l'industrie automobile
• Employé dans les systèmes d'énergie renouvelable pour les onduleurs
Quelle est la capacité maximale de dissipation de puissance ?
Il peut supporter une dissipation de puissance maximale de 300 W, ce qui garantit des performances dans des scénarios de charge élevée.
Comment se comporte-t-il dans des environnements à haute température ?
Ce MOSFET peut fonctionner en continu à des températures atteignant +175°C, ce qui le rend adapté aux conditions extrêmes.
Peut-il gérer des courants de drainage pulsés ?
Oui, le dispositif peut gérer des courants de drain pulsés jusqu'à 244A, ce qui est bénéfique pour les applications de charge transitoire.
Quelle est la signification de sa faible valeur Rds(on) ?
Un faible Rds(on) de 22mΩ réduit la perte de puissance et augmente l'efficacité pendant le fonctionnement, ce qui est crucial pour les applications sensibles à l'énergie.
Comment doit-il être monté pour une performance optimale ?
Le dispositif est doté d'un boîtier TO-220 et est conçu pour un montage à travers le trou, ce qui facilite la gestion thermique dans les conceptions de circuits.
