MOSFET N Wolfspeed 5 A 1700 V Enrichissement, 3 broches, TO-247
- Code commande RS:
- 904-7345
- Référence fabricant:
- C2M1000170D
- Marque:
- Wolfspeed
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 904-7345
- Référence fabricant:
- C2M1000170D
- Marque:
- Wolfspeed
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Wolfspeed | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1700V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.4Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 13nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 69W | |
| Tension directe Vf | 3.8V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 16.13mm | |
| Hauteur | 21.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Wolfspeed | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1700V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.4Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 13nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 69W | ||
Tension directe Vf 3.8V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 16.13mm | ||
Hauteur 21.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistors MOSFET d'alimentation en carbure de silicium Wolfspeed
Transistors MOSFET d'alimentation en carbure de silicium Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ et C3M™. Une gamme de MOSFET SiC de deuxième génération de Wolfspeed, la filière d'alimentation de Cree, qui fournit une densité de puissance et une efficacité de commutation de pointe. Ces dispositifs faible capacité acceptent des fréquences de commutation plus élevées et ont des conditions de refroidissement réduites, améliorant l'efficacité de fonctionnement globale du système.
• Technologie SiC à canal N et mode d'enrichissement
• Tensions d'isolation de source de drain élevées : jusqu'à 1 200 V
• Plusieurs dispositifs sont faciles à mettre en parallèle et simples à piloter
• Commutation haute vitesse avec faible résistance
• Fonctionnement à verrouillage résistant
Transistors MOSFET, Wolfspeed
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