MOSFET N Infineon 33 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 HEXFET

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Code commande RS:
914-8154
Référence fabricant:
IRF540NPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

33A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

TO-220

Série

HEXFET

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

44mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

130W

Tension directe Vf

1.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

71nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Hauteur

8.77mm

Longueur

10.54mm

Standard automobile

Non

Infineon HEXFET Series MOSFET, 33A Maximum Continuous Drain Current, 100V Maximum Drain Source Voltage - IRF540NPBF


Ce MOSFET est conçu pour fournir des capacités de commutation efficaces et une gestion de la puissance dans diverses applications électroniques. Le dispositif fonctionne avec un courant de drain continu maximum de 33A et une tension drain-source maximum de 100V. Logé dans un boîtier TO-220AB, ce composant est bien adapté aux utilisations industrielles et commerciales, garantissant longévité et fiabilité dans une large gamme de conditions environnementales.

Caractéristiques et avantages


• Traitement avancé pour une faible résistance à l'allumage

• Prise en charge de vitesses de commutation rapides pour un fonctionnement efficace

• Entièrement homologué pour les avalanches, pour une fiabilité accrue dans des conditions difficiles

• Offre une large plage de tension de seuil de grille pour plus de flexibilité

• Conçu pour un montage à travers le trou pour une installation facile

Applications


• Idéal pour la commutation de courant élevé dans les alimentations

• Utilisé dans les systèmes d'automatisation et de contrôle

• Convient aux circuits de commande et d'entraînement des moteurs

• Efficace dans les onduleurs et les convertisseurs pour les systèmes d'énergie renouvelable

Quelle est la signification du faible RDS(on) dans ce dispositif ?


Un faible RDS(on) améliore l'efficacité en réduisant la perte de puissance pendant le fonctionnement, ce qui permet une meilleure gestion thermique et améliore les performances globales dans les applications à courant élevé.

Comment la fonctionnalité du mode d'amélioration influe-t-elle sur son utilisation ?


Le mode d'amélioration permet un fonctionnement à faible courant jusqu'à ce qu'une tension de grille spécifique soit appliquée, ce qui le rend fiable pour les applications de commutation où un contrôle précis est essentiel.

Quelle est l'importance de la conception du boîtier TO-220AB ?


Le boîtier TO-220AB assure une dissipation efficace de la chaleur, permettant des niveaux élevés de dissipation de puissance tout en maintenant la facilité de montage dans diverses configurations de circuits.

Quelles sont les performances de ce MOSFET à des températures extrêmes ?


Fonctionnant efficacement entre -55°C et +175°C, il est conçu pour maintenir ses performances dans des environnements exigeants, garantissant ainsi sa fiabilité même dans des conditions difficiles.

Pour quel type d'applications de commutation ce produit est-il adapté ?


Il est bien adapté à l'alimentation de charges dans des applications nécessitant une commutation rapide, telles que les systèmes d'entraînement de moteurs, les convertisseurs de puissance et divers circuits de contrôle électronique.

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