MOSFET Infineon canal N, SOIC 9,9 A 30 V, 8 broches

Code commande RS:: 915-5089
Référence fabricant:: IRL6342TRPBF
Marque:: Infineon

MOSFET Infineon canal N, SOIC 9,9 A 30 V, 8 broches

Prix l'unité (par multiple de 40)**

0,374 €

0,449 €

En cours d'approvisionnement*

* Les dates de livraison peuvent varier selon la quantité choisie et l'adresse de livraison.

FRAIS de livraison offerts pour toute commande de plus de 50,00 €

Unité	Prix par unité	le paquet**
40 +	0,374 €	14,96 €

**Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 915-5089
Référence fabricant:: IRL6342TRPBF
Marque:: Infineon

IRL6342PbF N-channel HEXFET Power MOSFET

Transistor MOSFET de puissance à canal N, 30 V, Infineon

La gamme de transistors MOSFET de puissance discrets HEXFET®, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés. Elle comprend également des facteurs de forme capables de s'adapter à toutes les configurations de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.

Infineon HEXFET Series MOSFET, 9,9A Maximum Continuous Drain Current, 2,5W Maximum Power Dissipation - IRL6342TRPBF

Ce MOSFET à canal N offre des performances solides pour une gamme d'applications électroniques, capable d'un courant de drain continu jusqu'à 9,9A et d'une tension drain-source de 30V. Il fonctionne dans une plage de températures allant de -55°C à +150°C, ce qui le rend adapté aux environnements généraux et de haute performance.

Caractéristiques et avantages

• Utilise la technologie HEXFET pour une meilleure efficacité
• Faible résistance à l'enclenchement pour réduire les pertes de puissance
• Conception de montage en surface pour une installation simple
• Le fonctionnement à haute température améliore la fiabilité dans diverses tâches
• Conforme à la directive RoHS pour les applications respectueuses de l'environnement
• Prise en charge du mode d'amélioration pour un contrôle précis

Applications

• Convient aux circuits d'alimentation électrique
• Applicable aux systèmes de contrôle des moteurs
• Efficace dans la gestion des batteries
• Idéal pour diverses puissances de commutation

Quelles sont les valeurs nominales maximales de l'appareil ?

Le dispositif supporte une tension drain-source maximale de 30 V et une tension porte-source de ±12V.

Comment se comporte-t-il dans des environnements à haute température ?

Il fonctionne efficacement dans une plage de -55°C à +150°C, ce qui lui permet de s'adapter à diverses applications.

Est-il compatible avec les schémas de circuits imprimés standard ?

Oui, le montage en surface facilite l'intégration dans les circuits imprimés standard.

Quel est l'avantage d'utiliser un MOSFET à faible résistance ?

Une faible résistance à l'enclenchement (jusqu'à 19 mΩ) minimise la perte de puissance, améliorant ainsi l'efficacité globale.

Comment puis-je m'assurer que l'installation est correcte ?

Respecter les techniques standard de montage en surface, en veillant à ce que l'alignement et la soudure soient corrects afin d'éviter les problèmes de performance.

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	9,9 A
Tension Drain Source maximum	30 V
Type de boîtier	SOIC
Série	HEXFET
Type de montage	CMS
Nombre de broches	8
Résistance Drain Source maximum	19 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	1.1V
Tension de seuil minimale de la grille	0.5V
Dissipation de puissance maximum	2,5 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-12 V, +12 V
Charge de Grille type @ Vgs	11 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor	Si
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Longueur	5mm
Largeur	4mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Tension directe de la diode	1.2V
Hauteur	1.5mm