MOSFET Wolfspeed canal N, , A-247 36 A 900 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 915-8836P
- Référence fabricant:
- C3M0065090D
- Marque:
- Wolfspeed
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Prix pour l'unité (conditionné en tube)
15,37 €
HT
18,44 €
TTC
| Unité | Prix par unité |
| 5 - 9 | 15,37 € |
| 10 - 29 | 14,98 € |
| 30 - 89 | 14,56 € |
| 90 + | 14,20 € |
Options de conditionnement :
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- 915-8836P
- Référence fabricant:
- C3M0065090D
- Marque:
- Wolfspeed
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Transistors MOSFET d'alimentation en carbure de silicium Wolfspeed
Transistors MOSFET d'alimentation en carbure de silicium Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ et C3M™. Une gamme de MOSFET SiC de deuxième génération de Wolfspeed, la filière d'alimentation de Cree, qui fournit une densité de puissance et une efficacité de commutation de pointe. Ces dispositifs faible capacité acceptent des fréquences de commutation plus élevées et ont des conditions de refroidissement réduites, améliorant l'efficacité de fonctionnement globale du système.
• Technologie SiC à canal N et mode d'enrichissement
• Tensions d'isolation de source de drain élevées : jusqu'à 1 200 V
• Plusieurs dispositifs sont faciles à mettre en parallèle et simples à piloter
• Commutation haute vitesse avec faible résistance
• Fonctionnement à verrouillage résistant
• Tensions d'isolation de source de drain élevées : jusqu'à 1 200 V
• Plusieurs dispositifs sont faciles à mettre en parallèle et simples à piloter
• Commutation haute vitesse avec faible résistance
• Fonctionnement à verrouillage résistant
Transistors MOSFET, Wolfspeed
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 36 A |
| Tension Drain Source maximum | 900 V |
| Type de boîtier | A-247 |
| Type de montage | Traversant |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 78 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 2.1V |
| Tension de seuil minimale de la grille | 1.8V |
| Dissipation de puissance maximum | 125 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -8 V, +18 V |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Longueur | 16.13mm |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Charge de Grille type @ Vgs | 30,4 nC @ 15 V |
| Largeur | 21.1mm |
| Matériau du transistor | SiC |
| Tension directe de la diode | 4.8V |
| Hauteur | 5.21mm |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |