MOSFET P onsemi 11 A 20 V Enrichissement, 8 broches, SOIC PowerTrench
- Code commande RS:
- 917-5487
- Référence fabricant:
- FDS6576
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
11,35 €
HT
13,62 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Dernier stock RS
- 14 120 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 + | 1,135 € | 11,35 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 917-5487
- Référence fabricant:
- FDS6576
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 11A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 20V | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Série | PowerTrench | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.014Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 43nC | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -12V, +12V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2.5W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 4mm | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Longueur | 5mm | |
| Hauteur | 1.5mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 11A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 20V | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Série PowerTrench | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.014Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 43nC | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -12V, +12V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2.5W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 4mm | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Longueur 5mm | ||
Hauteur 1.5mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET à canal P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Les transistors MOSFET PowerTrench® sont des commutateurs de puissance optimisés qui offrent une augmentation du rendement du système et une forte densité de puissance. Ils combinent une charge de grille (QG) réduite, une charge de recouvrement inverse (Qrr) réduite et une diode de recouvrement inverse souple, ce qui contribue à une commutation rapide du redressement synchrone dans les alimentations c.a./c.c.
Les derniers transistors MOSFET PowerTrench® emploient une structure de grille blindée offrant un équilibrage des charges. Grâce à l'utilisation de cette technologie de pointe, le facteur de mérite de ces dispositifs est considérablement inférieur à celui des générations précédentes.
Les performances de la diode de corps souple des transistors MOSFET PowerTrench® permettent d'éliminer les circuits Snubber ou de remplacer un MOSFET d'une tension nominale supérieure.
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET P onsemi 11 A 20 V Enrichissement SOIC PowerTrench
- MOSFET P onsemi 11 A 30 V Enrichissement SOIC PowerTrench
- MOSFET P onsemi 20 A 30 V Enrichissement SOIC PowerTrench
- MOSFET P onsemi 8 A 20 V Enrichissement SOIC PowerTrench
- MOSFET P onsemi 3.5 A 20 V Enrichissement SOIC PowerTrench
- MOSFET P onsemi 10 A 20 V Enrichissement SOIC PowerTrench
- MOSFET P onsemi 5.3 A 30 V Enrichissement SOIC PowerTrench
- MOSFET P onsemi 13 A 30 V Enrichissement SOIC PowerTrench