MOSFET Infineon canal P, TO-220AB 23 A 100 V, 3 broches

Code commande RS:: 919-4886
Référence fabricant:: IRF9540NPBF
Marque:: Infineon

MOSFET Infineon canal P, TO-220AB 23 A 100 V, 3 broches

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Code commande RS:: 919-4886
Référence fabricant:: IRF9540NPBF
Marque:: Infineon

Datasheet

Transistor MOSFET de puissance à canal P 100 à 150 V, Infineon

La gamme de transistors MOSFET de puissance HEXFET® discrets, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal P dans des boîtiers à montage en surface et câblés et des facteurs de forme capables de faire face à pratiquement toutes les dispositions de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.

MOSFET de la série HEXFET d'Infineon, courant de vidange continu maximum de 23A, dissipation de puissance maximum de 140W - IRF9540NPBF

Ce MOSFET à canal P est destiné à des applications de haute performance dans les secteurs de l'électronique et de l'automatisation. Il supporte un courant de drain continu maximum de 23A et une tension drain-source de 100 V, ce qui améliore l'efficacité du circuit. La configuration du mode d'amélioration permet un contrôle précis de la sortie, ce qui le rend adapté à diverses industries, y compris les applications électriques et mécaniques.

Caractéristiques et avantages

• Gère jusqu'à 23A de courant de drainage continu pour des performances robustes
• Tension drain-source maximale de 100V pour un fonctionnement cohérent
• La faible résistance drain-source maximale de 117 mΩ optimise l'efficacité énergétique
• Capacité de dissipation d'énergie jusqu'à 140 W pour les applications intensives
• La charge de grille typique de 97 nC à 10V permet une commutation rapide

Applications

• Employés dans les circuits de gestion de la puissance pour une conversion efficace de l'énergie
• Utilisé dans les systèmes de contrôle des moteurs pour une régulation précise de la vitesse
• Intégration dans les circuits d'alimentation électrique pour améliorer la fiabilité opérationnelle
• Utilisé dans divers systèmes d'automatisation pour des fonctions de contrôle efficaces

Quelle est la plage de température pour une performance optimale ?

La plage de température de fonctionnement s'étend de -55°C à +175°C, ce qui permet une utilisation efficace dans diverses conditions environnementales.

Comment la tension de seuil de la porte affecte-t-elle le fonctionnement ?

La tension de seuil de la grille varie entre 2 et 4 V, ce qui garantit une activation fiable et un fonctionnement régulier en réponse aux signaux de commande.

Quel type de montage est nécessaire pour l'installation ?

Ce MOSFET est conçu pour un montage à travers le trou, ce qui facilite l'intégration dans différents assemblages électroniques.

Ce MOSFET peut-il être utilisé dans des applications à haute fréquence ?

Oui, il convient aux applications de commutation à haute fréquence en raison de sa faible charge de grille et de ses capacités de commutation rapide.

Quelle est la signification de la faible résistance drain-source ?

Une faible résistance drain-source de 117 mΩ améliore l'efficacité énergétique globale en minimisant les pertes d'énergie pendant le fonctionnement.

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

Attribut	Valeur
Type de canal	P
Courant continu de Drain maximum	23 A
Tension Drain Source maximum	100 V
Type de boîtier	TO-220AB
Série	HEXFET
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	117 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	4V
Tension de seuil minimale de la grille	2V
Dissipation de puissance maximum	140 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Matériau du transistor	Si
Nombre d'éléments par circuit	1
Charge de Grille type @ Vgs	97 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum	+175 °C
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	8.77mm