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    MOSFET Infineon canal N, , D2PAK (TO-263) 57 A 100 V, 3 broches

    Code commande RS:
    919-4993
    Référence fabricant:
    IRF3710SPBF
    Marque:
    Infineon
    Infineon
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    En cours d'approvisionnement -expédition le 25/06/2024, pour livraison dès le lendemain
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    Prix pour l'unité (en tube de 50)

    1,167 €

    HT

    1,40 €

    TTC

    UnitéPrix par unitéle tube*
    50 - 501,167 €58,35 €
    100 - 2001,109 €55,45 €
    250 - 4500,998 €49,90 €
    500 +0,992 €49,60 €
    *Prix donné à titre indicatif
    Code commande RS:
    919-4993
    Référence fabricant:
    IRF3710SPBF
    Marque:
    Infineon
    Pays d'origine :
    MX

    Documentation technique


    Législation et Conformité

    Pays d'origine :
    MX

    Détail produit

    Transistor MOSFET de puissance à canal N 100 V, Infineon


    La gamme de transistors MOSFET de puissance discrets HEXFET®, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés. Elle comprend également des facteurs de forme capables de s'adapter à toutes les configurations de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.


    Transistors MOSFET, Infineon


    Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

    Caractéristiques techniques

    AttributValeur
    Type de canalN
    Courant continu de Drain maximum57 A
    Tension Drain Source maximum100 V
    Type de boîtierD2PAK (TO-263)
    Type de montageCMS
    Nombre de broches3
    Résistance Drain Source maximum23 mΩ
    Mode de canalEnrichissement
    Tension de seuil maximale de la grille4V
    Tension de seuil minimale de la grille2V
    Dissipation de puissance maximum200 W
    Configuration du transistorSimple
    Tension Grille Source maximum-20 V, +20 V
    Largeur9.65mm
    Nombre d'éléments par circuit1
    Matériau du transistorSi
    Charge de Grille type @ Vgs130 nC @ 10 V
    Longueur10.67mm
    Température d'utilisation maximum+175 °C
    SérieHEXFET
    Hauteur4.83mm
    Température de fonctionnement minimum-55 °C
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