MOSFET P Infineon 31 A 55 V Enrichissement, 3 broches, IPAK HEXFET

Voir la catégorie

Sous-total (1 tube de 75 unités)*

31,95 €

HT

38,325 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • 3 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le tube*
75 +0,426 €31,95 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
919-5021
Référence fabricant:
IRFU5305PBF
Marque:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

31A

Tension Drain Source maximum Vds

55V

Série

HEXFET

Type de Boitier

IPAK

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

65mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20 V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

63nC

Dissipation de puissance maximum Pd

110W

Tension directe Vf

-1.3V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Largeur

2.3 mm

Hauteur

6.1mm

Longueur

6.6mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
MX

MOSFET Infineon de la série HEXFET, courant de vidange continu maximum de 31A, dissipation de puissance maximum de 110W - IRFU5305PBF


Ce MOSFET est conçu pour offrir efficacité et fiabilité dans diverses applications électroniques. Les techniques de traitement avancées utilisées permettent d'obtenir une faible résistance par surface de silicium, ce qui les rend adaptées à la conception de circuits à haute performance. Ses capacités robustes s'adaptent à un large éventail de spécifications de courant de drainage et de tension, garantissant une utilisation optimale dans les systèmes d'automatisation et les systèmes électriques.

Caractéristiques et avantages


• Capacité de traitement d'un courant élevé jusqu'à 31A

• Fonctionne efficacement en mode d'amélioration pour une meilleure performance

• Faible résistance statique entre le drain et la source pour une consommation d'énergie efficace

• Large plage de tension porte-source de ±20V pour un contrôle polyvalent

• Peut supporter des niveaux de dissipation de puissance allant jusqu'à 110W

• Le boîtier compact TO-251 IPAK facilite l'installation dans un espace réduit

Applications


• Idéal pour la gestion de l'énergie dans l'électronique grand public

• Utilisé dans les systèmes d'énergie renouvelable pour un contrôle efficace

• Adapté à la puissance dans les véhicules électriques

• Utilisé dans les alimentations à commutation à haute fréquence pour une meilleure performance

Quelle est la plage de température de fonctionnement qui peut être maintenue ?


Le composant peut fonctionner entre -55°C et +175°C, ce qui lui permet de s'adapter à divers environnements.

Comment l'installation affecte-t-elle les performances ?


Une installation correcte dans les applications à espace restreint optimise la dissipation de la chaleur, améliorant ainsi la fiabilité et les performances.

Quels sont les éléments à prendre en compte pour la gestion de la chaleur pendant l'utilisation ?


La mise en place de méthodes de refroidissement adéquates est cruciale en raison de la dissipation de puissance maximale de 110 W lorsque l'appareil fonctionne à des courants de vidange élevés.

Quels sont les types de circuits qui bénéficient de ses spécifications ?


La faible résistance à l'enclenchement et le courant nominal élevé en font un produit bien adapté aux conceptions axées sur l'efficacité et la minimisation des pertes d'énergie dans des applications telles que la commande de moteurs et les alimentations.

Peut-il être utilisé dans des configurations parallèles ?


Oui, il convient aux circuits parallèles; toutefois, des méthodes d'équilibrage doivent être envisagées pour garantir une distribution uniforme du courant entre les appareils.

Nos clients ont également consulté