Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	26 A
Tension Drain Source maximum	1200 V
Type de boîtier	TO-264
Série	HiperFET, Polar
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	460 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	6.5V
Dissipation de puissance maximum	960 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-30 V, +30 V
Longueur	19.96mm
Matériau du transistor	Si
Largeur	5.13mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Charge de Grille type @ Vgs	225 nF @ 10 V
Hauteur	26.16mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	26 A
Tension Drain Source maximum	1200 V
Type de boîtier	TO-264
Série	HiperFET, Polar
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	460 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	6.5V
Dissipation de puissance maximum	960 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-30 V, +30 V
Longueur	19.96mm
Matériau du transistor	Si
Largeur	5.13mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Charge de Grille type @ Vgs	225 nF @ 10 V
Hauteur	26.16mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

MOSFET IXYS canal N, TO-264 26 A 1200 V, 3 broches

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