MOSFET IXYS canal N, PLUS247 24 A 1000 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 920-0975
- Référence fabricant:
- IXFX24N100Q3
- Marque:
- IXYS
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23,913 €
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| Unité | Prix par unité | le tube* |
| 30 + | 23,913 € | 717,39 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 920-0975
- Référence fabricant:
- IXFX24N100Q3
- Marque:
- IXYS
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- US
Détail produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Q3
Les transistors MOSFET de puissance IXYS de la série HiperFET™ Q3 sont adaptés aux applications de commutation dure et de mode de résonance. Ils offrent une faible charge de grille et une robustesse exceptionnelle. Les circuits sont dotés d'une diode intrinsèque rapide et sont disponibles dans de nombreux boîtiers standard, notamment des boîtiers isolés avec des valeurs nominales pouvant atteindre 1 100 V et 70 A. Les applications typiques incluent les convertisseurs CC/CC, les chargeurs de batterie, les alimentations à découpage et à mode de résonance, les choppers c.c. et les contrôleurs de température et d'éclairage.
Diode de redressement intrinsèque rapide
Faible RDS(on) et QG (charge de grille)
Grille à faible résistance intrinsèque
Boîtier standard
Boîtier à faible inductance
Puissance élevée et encombrement réduit.
Faible RDS(on) et QG (charge de grille)
Grille à faible résistance intrinsèque
Boîtier standard
Boîtier à faible inductance
Puissance élevée et encombrement réduit.
Transistors MOSFET, IXYS
Une large gamme de dispositifs de puissance discrets avancés MOSFET d'IXYS
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 24 A |
| Tension Drain Source maximum | 1000 V |
| Type de boîtier | PLUS247 |
| Série | HiperFET, Q-Class |
| Type de montage | Traversant |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 440 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 6.5V |
| Dissipation de puissance maximum | 1 kW |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -30 V, +30 V |
| Matériau du transistor | Si |
| Largeur | 5.21mm |
| Charge de Grille type @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Longueur | 16.13mm |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Hauteur | 21.34mm |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
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