MOSFET N IXYS 12 A 1 kV Enrichissement, 3 broches, TO-247 Linear
- Code commande RS:
- 168-4606
- Référence fabricant:
- IXTH12N100L
- Marque:
- IXYS
Sous-total (1 tube de 30 unités)*
454,56 €
HT
545,46 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 840 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 + | 15,152 € | 454,56 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 168-4606
- Référence fabricant:
- IXTH12N100L
- Marque:
- IXYS
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 12A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1kV | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | Linear | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.3Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 400W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30 V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 155nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 5.3 mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 21.46mm | |
| Longueur | 16.26mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 12A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1kV | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série Linear | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.3Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 400W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30 V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 155nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 5.3 mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 21.46mm | ||
Longueur 16.26mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- DE
MOSFET de puissance canal N, série IXYS Linear
MOSFET de puissance canal N conçus spécifiquement pour un fonctionnement linéaire. Circuits avec FBSOA (Forward Bias Safe Operating Area) étendue, pour une solidité et une fiabilité accrues.
Transistors MOSFET, IXYS
Une large gamme de dispositifs de puissance discrets avancés MOSFET d'IXYS
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N IXYS 12 A 1 kV Enrichissement TO-247 Linear
- MOSFET N IXYS 18 A 1 kV Enrichissement TO-247 HiperFET, Q3-Class
- MOSFET N IXYS 22 A 1 kV Enrichissement SOT-227 Linear
- MOSFET N IXYS 110 A 250 V Enrichissement TO-247 Trench
- MOSFET N IXYS 60 A 650 V Enrichissement TO-247 HiperFET
- MOSFET N IXYS 80 A 650 V Enrichissement TO-247 HiperFET
- MOSFET N IXYS 110 A 100 V Enrichissement TO-247 HiperFET, Polar
- MOSFET N IXYS 80 A 650 V Enrichissement TO-247 X2-Class
