IGBT | Transistor Bipolaire À Grille Isolée | RS
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    IGBT

    Les IGBT (transistors bipolaires à grille isolée) sont des composants semi-conducteurs principalement utilisés comme dispositifs de commutation. Ces produits permettent d'autoriser ou d'arrêter le flux de puissance. Ils offrent de nombreux avantages en raison d'un croisement entre deux des transistors de puissance les plus courants, transistors bipolaires et MOSFET.

    Comment fonctionnent les transistors IGBT ?

    Les transistors IGBT sont des dispositifs à trois bornes qui appliquent une tension à un semi-conducteur, modifiant ses propriétés pour bloquer le flux de puissance lorsqu'il est à l'arrêt et permettre le flux de puissance à l'activation. Ils sont contrôlés par une structure de grille à semi-conducteur en oxyde métallique. Les transistors IGBT sont largement utilisés pour la commande de commutation de puissance électrique dans les applications, telles que le soudage, les voitures électriques, les climatiseurs, les trains et les alimentations sans interruption.

    Quels sont les différents types de transistors IGBT ?

    Il existe différents types de transistors IGBT, classés par paramètres, tels que la tension maximale, le courant de collecteur, le type d'emballage et la vitesse de commutation. Le type de transistor IGBT que vous choisissez varie en fonction du niveau de puissance exact et des applications à prendre en compte.

    Quelle est la différence entre les MOSFET et les IGBT ?

    Les IGBT ont une chute de tension directe beaucoup plus faible que les transistors MOSFET conventionnels dans des dispositifs à tension nominale de blocage plus élevée. Toutefois, les transistors MOSFET sont caractérisés par une tension directe plus faible et des densités de courant plus faibles en raison de l'absence de diode Vf dans la sortie BJT de l'IGBT.

    Un module de transistor IGBT (transistor bipolaire à grille isolée) se compose d'un ou plusieurs IGBT et est utilisé dans de nombreux types d'équipement industriel en raison de sa fiabilité. Les transistors IGBT sont à l'intersection entre les transistors à jonction bipolaire (BJT) et les transistors MOSFET. Ils sont extrêmement efficaces et à commutation rapide, et ils sont dotés de caractéristiques de courant élevé et de faible tension de saturation.

    Qu'est-ce qu'une application typique des IGBT ?

    Les modules IGBT sont utilisés dans un grand nombre d'applications, telles que :

    • Moteurs électriques
    • Alimentations sans interruption
    • Installations de panneaux solaires
    • Postes de soudeurs
    • Convertisseurs de puissance et inverseurs
    • Chargeurs inductifs
    • Cuisinières à induction

    2454 Produits présentés pour IGBT

    Infineon
    80 A
    650 V
    ±20V
    210 W
    1
    Collecteur simple, émetteur simple, porte simple
    PG-TO247-4-STD-NT3.7
    Traversant
    N
    4
    -
    -
    -
    Infineon
    310 A
    950 V
    ±20V
    20 mW
    -
    -
    Module EasyPACK
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Infineon
    35 A
    1200 V
    ±20V
    -
    -
    -
    AG-EASY1B-711
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Infineon
    100 A
    1 200 V
    ±20V
    824 W
    1
    Collecteur simple, émetteur simple, porte simple
    PG-TO247-3-PLUS-N
    Traversant
    N
    3
    -
    -
    -
    Infineon
    450 A
    1200 V
    20V
    20 mW
    2
    Emetteur commun
    ECONODUAL
    -
    N
    13
    -
    Emetteur commun
    -
    Infineon
    600 A
    1200 V
    20V
    20 mW
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    STMicroelectronics
    80 A
    1 200 V
    ±30V
    536 W
    1
    Simple
    A-247
    Traversant
    N
    3
    -
    -
    -
    1,405 €
    l'unité (conditionné en tube)
    Infineon
    -
    -
    -
    110 W
    -
    -
    PG-TO-220-3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHM
    42 A
    650 V
    ±30V
    177 W
    -
    -
    TO-263L
    CMS
    -
    3
    -
    -
    -
    onsemi
    73 A
    1000 V
    ±20V
    79 W
    6
    -
    93x47 (broche à souder) (broches à souder sans plomb et sans halogène), Q2BOOST - PIM53
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Infineon
    30 A
    650 V
    ±20 V, ±30 V
    105 W
    -
    -
    PG-TO263-3
    -
    -
    3
    -
    -
    -
    Infineon
    100 A
    1200 V
    20V
    20 mW
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Infineon
    75 A
    1 200 V
    ±20V
    549 W
    1
    Collecteur simple, émetteur simple, porte simple
    PG-TO247-4-STD-NT3.7
    Traversant
    N
    4
    -
    -
    -
    Infineon
    80 A
    650 V
    ±20V
    338 W
    1
    Collecteur simple, émetteur simple, porte simple
    PG-TO247-4-STD-NT3.7
    Traversant
    N
    4
    -
    -
    -
    ROHM
    42 A
    650 V
    ±30V
    177 W
    -
    -
    TO-263L
    CMS
    -
    3
    -
    -
    -
    Infineon
    600 A
    1200 V
    20V
    20 mW
    2
    Double
    AG-ECONOD
    Montage sur châssis
    -
    -
    -
    Série
    -
    ROHM
    57 A
    650 V
    ±30V
    165 W
    -
    -
    TO-263L
    CMS
    -
    3
    -
    -
    -
    Infineon
    30 A
    650 V
    ±20V
    83 W
    1
    Simple
    To-247-3-HCC
    Traversant
    N
    3
    -
    Simple
    -
    Infineon
    160 A
    650 V
    ±20V
    498 W
    1
    Collecteur simple, émetteur simple, porte simple
    PG-TO247-3-PLUS-N
    Traversant
    N
    3
    -
    -
    -
    ROHM
    105 A
    1 200 V
    ±30V
    468 W
    1
    -
    TO-247-4L
    Traversant
    -
    4
    -
    -
    -
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