IGBT | Transistor Bipolaire À Grille Isolée | RS
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    IGBT

    Les IGBT (transistors bipolaires à grille isolée) sont des composants semi-conducteurs principalement utilisés comme dispositifs de commutation. Ces produits permettent d'autoriser ou d'arrêter le flux de puissance. Ils offrent de nombreux avantages en raison d'un croisement entre deux des transistors de puissance les plus courants, transistors bipolaires et MOSFET.

    Comment fonctionnent les transistors IGBT ?

    Les transistors IGBT sont des dispositifs à trois bornes qui appliquent une tension à un semi-conducteur, modifiant ses propriétés pour bloquer le flux de puissance lorsqu'il est à l'arrêt et permettre le flux de puissance à l'activation. Ils sont contrôlés par une structure de grille à semi-conducteur en oxyde métallique. Les transistors IGBT sont largement utilisés pour la commande de commutation de puissance électrique dans les applications, telles que le soudage, les voitures électriques, les climatiseurs, les trains et les alimentations sans interruption.

    Quels sont les différents types de transistors IGBT ?

    Il existe différents types de transistors IGBT, classés par paramètres, tels que la tension maximale, le courant de collecteur, le type d'emballage et la vitesse de commutation. Le type de transistor IGBT que vous choisissez varie en fonction du niveau de puissance exact et des applications à prendre en compte.

    Quelle est la différence entre les MOSFET et les IGBT ?

    Les IGBT ont une chute de tension directe beaucoup plus faible que les transistors MOSFET conventionnels dans des dispositifs à tension nominale de blocage plus élevée. Toutefois, les transistors MOSFET sont caractérisés par une tension directe plus faible et des densités de courant plus faibles en raison de l'absence de diode Vf dans la sortie BJT de l'IGBT.

    Un module de transistor IGBT (transistor bipolaire à grille isolée) se compose d'un ou plusieurs IGBT et est utilisé dans de nombreux types d'équipement industriel en raison de sa fiabilité. Les transistors IGBT sont à l'intersection entre les transistors à jonction bipolaire (BJT) et les transistors MOSFET. Ils sont extrêmement efficaces et à commutation rapide, et ils sont dotés de caractéristiques de courant élevé et de faible tension de saturation.

    Qu'est-ce qu'une application typique des IGBT ?

    Les modules IGBT sont utilisés dans un grand nombre d'applications, telles que :

    • Moteurs électriques
    • Alimentations sans interruption
    • Installations de panneaux solaires
    • Postes de soudeurs
    • Convertisseurs de puissance et inverseurs
    • Chargeurs inductifs
    • Cuisinières à induction

    2454 Produits présentés pour IGBT

    Infineon
    75 A
    1200 V
    ±20V
    20 mW
    7
    Triphasé
    Module
    Montage sur châssis
    N
    31
    -
    Triphasé
    -
    Infineon
    26 A
    600 V
    ±20V
    130 W
    -
    -
    PG-TO263-3
    -
    -
    3
    -
    -
    -
    onsemi
    -
    -
    -
    119 W
    4
    -
    Broches à pression F1-4PACK avec matériau d'interface thermique préappliqué (TIM) (sans plomb et sans halogène)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    onsemi
    30 A
    650 V
    -
    113 W
    6
    Triphasé
    DIP39
    Traversant
    N
    39
    -
    -
    -
    ROHM
    42 A
    650 V
    ±30V
    177 W
    -
    -
    TO-263L
    CMS
    -
    3
    -
    -
    -
    Infineon
    75 A
    650 V
    ±20V
    341 W
    1
    Collecteur simple, émetteur simple, porte simple
    PG-TO247-3-STD-NN4.8
    Traversant
    N
    3
    -
    -
    -
    Infineon
    450 A
    1 200 V
    ±20V
    -
    2
    Collecteur simple, émetteur simple, porte simple
    AG-62MMHB
    Traversant
    N
    3
    -
    -
    -
    Infineon
    75 A
    1 200 V
    ±20V
    549 W
    1
    Collecteur simple, émetteur simple, porte simple
    PG-TO247-4-PLUS-NN5.1
    Traversant
    N
    4
    -
    -
    -
    ROHM
    50 A
    650 V
    ±30V
    326 W
    1
    -
    TO-247N
    Traversant
    N
    3
    -
    Simple
    16 x 5 x 21mm
    Infineon
    600 A
    1 200 V
    ±20V
    -
    2
    Collecteur simple, émetteur simple, porte simple
    AG-62MMHB
    Traversant
    N
    3
    -
    -
    -
    ROHM
    105 A
    1 200 V
    ±30V
    468 W
    1
    -
    TO-247-4L
    Traversant
    -
    4
    -
    -
    -
    Toshiba
    50 A
    600 V
    ±25V
    230 W
    -
    -
    TO-3P
    Traversant
    N
    3
    1MHz
    Simple
    15.5 x 4.5 x 20mm
    ROHM
    83 A
    650 V
    ±30V
    227 W
    -
    -
    TO-263L
    CMS
    -
    3
    -
    -
    -
    Infineon
    6,5 A
    600 V
    20V
    53,6 W
    1
    Simple
    PG-TO252
    -
    N
    3
    -
    Simple
    -
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