Transistors Bipolaires, Transistor Npn | RS
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    Transistors bipolaires

    Les transistors bipolaires sont des dispositifs à trois broches, à l'état solide, fabriqués en trois couches de silicium. Un transistor bipolaire est conçu pour amplifier le courant ; ils peuvent également fonctionner comme un commutateur. Il existe deux principaux types de transistor, PNP (positif négatif positif) ou NPN (négatif positif négatif).

    Comment est fabriqué un transistor bipolaire ?

    Les transistors bipolaires sont fabriqués en joignant deux diodes de signal à l'arrière, créant deux jonctions PN connectées en série, partageant un terminal P ou N commun. Par nature, le silicium ne conduit normalement pas bien l'électricité. Toutefois, en traitant le silicium avec certains composants chimiques (ou impuretés), le matériau et les électrons se comportent différemment. Ce processus est appelé dopage. Le processus de dopage améliore la capacité des semi-conducteurs à conduire l'électricité.

    Comment fonctionnent les transistors bipolaires ?

    Les transistors bipolaires ont deux fonctions possibles, la commutation et l'amplification. Grâce aux trois couches de matériau semi-conducteur dopé des dispositifs, l'alimentation du transistor avec une tension de signal permet au composant discret d'agir comme un isolant ou un conducteur. Ce changement intelligent fournit aux transistors deux fonctions de base, l'électronique de commutation (numérique) ou l'électronique d'amplification (analogique).

    Les transistors sont disponibles en options de montage sur panneau, en surface et par montage traversant dans un boîtier en plastique ou des versions en métal. Ils sont tous dotés de trois bornes ou broches, de la base, du collecteur et de l'émetteur.

    Ils sont également disponibles en tant que :

    • Transistors numériques : fabriqués en matériau semi-conducteur, généralement en silicium, qui conduit le courant (ou l'électricité) avec peu de résistance. Ils disposent le plus souvent d'au moins trois bornes pour une connexion facile au circuit externe.
    • Transistors UJT : fabriqués à partir d'une barre de silicone de type N légèrement dopée avec une pièce en matériau de type P, de dimensions réduites, fortement dopée et attachée à un côté. Etant donné que la barre en silicium est légèrement dopée, elle offre une très haute résistance.

    Applications des transistors bipolaires

    Les transistors sont l'un des composants discrets les plus largement utilisés dans les conceptions et circuits électroniques. Les transistors sont utilisés pour l'amplification de tous les types de signaux électriques dans les circuits composés de composants individuels plutôt que de CI (circuits intégrés).

    5436 Produits présentés pour Transistors bipolaires

    onsemi
    PNP
    -2 A
    -40 V
    SOT-23
    CMS
    460 mW
    -
    Simple
    -40 V c.c.
    -7 V
    100 MHz
    3
    1
    onsemi
    NPN/PNP
    200 mA
    45 V
    SOT-363
    CMS
    380 mW
    200
    -
    50 V
    6 V
    100 MHz
    6
    2
    onsemi
    NPN
    100 mA
    50 V
    SOT-353 (SC-88A)
    CMS
    385 mW
    -
    Emetteur commun
    50 V c.c.
    6 V
    -
    5
    2
    Nexperia
    PNP
    -500 mA
    -45 V
    DFN1412D-3
    CMS
    -
    250
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Nexperia
    PNP
    -1 A
    -150 V
    SOT-223 (SC-73)
    CMS
    1,4 W
    100
    Simple
    -200 V
    -6 V
    100 MHz
    3 + Tab
    1
    onsemi
    PNP
    -3 A
    -40 V
    SOT-223 (SC-73)
    CMS
    2 W
    200
    Simple
    40 V c.c.
    6 V
    1 MHz
    3 + Tab
    1
    Nexperia
    PNP
    -1 A
    -100 V
    UPAK
    CMS
    2 W
    150
    Simple
    120 V
    5 V
    100 MHz
    4
    1
    ROHM
    PNP
    -100 mA
    -50 V
    SOT-416FL
    CMS
    150 mW
    120
    Emetteur commun
    -50 V
    -5 V
    100 MHz
    3
    1
    DiodesZetex
    PNP
    -1 A
    -80 V
    SOT-223 (SC-73)
    CMS
    2 W
    40
    Simple
    -100 V
    -5 V
    150 MHz
    3 + Tab
    1
    onsemi
    NPN
    100 mA
    50 V
    SOT-723
    CMS
    600 mW
    -
    Simple
    -
    6 V
    -
    3
    1
    Nexperia
    PNP
    -100 mA
    -50 V
    DFN1110D-3
    CMS
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    3
    ROHM
    NPN + PNP
    100 mA (NPN), 100 mA (PNP)
    50 V (minimum)
    SOT-563
    CMS
    150 mW
    -
    -
    50 V (minimum)
    5 V (minimum)
    350 MHz
    6
    2
    ROHM
    -
    150 mA
    50 V
    UMT3
    CMS
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    3
    1
    Nexperia
    PNP
    -100 mA
    -50 V
    DFN1412D-3
    CMS
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    3
    Taiwan Semiconductor
    PNP
    600 mA
    60 V
    SOT-23
    CMS
    225 mW
    -
    Simple
    -60 V
    -5 V
    100 MHz
    3
    1
    DiodesZetex
    PNP
    -100 mA
    -
    SOT-23
    CMS
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    3
    -
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