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Mémoires FRAM
La mémoire vive ferroélectrique (FeRAM, F-RAM ou FRAM) est une technologie de mémoire qui offre les mêmes fonctionnalités que la mémoire Flash. Les mémoires FRAM combinent un stockage de données instantané et non volatile avec les hautes performances des RAM et sont écrites à la vitesse d'interface maximale sans délais d'écriture.
Les mémoires FRAM offrent une endurance pratiquement illimitée (100 milliards de cycles de lecture/écriture) et restent actives pendant de courtes périodes de temps, avec une très faible consommation d'énergie.
A quoi servent les mémoires FRAM ?
Les mémoires FRAM peuvent être intégrées dans la technologie de semi-conducteur en métal-oxyde complémentaire (CMOS) pour permettre aux microcontrôleurs d'avoir leurs propres mémoires FRAM. Elles nécessitent moins d'étages que le nombre requis pour l'intégration d'une mémoire Flash, ce qui les rend plus rentables.
La mémoire FRAM offre une solution optimisée et facile à utiliser pour une grande variété de systèmes de mesure électroniques avancés, que ce soit pour mesurer l'électricité, l'eau, le gaz ou la température. Les mémoires FRAM sont généralement présentes dans les appareils électroniques pour le stockage de petites quantités de données.
Types de mémoires FRAM
- Les mémoires FRAM série sont généralement utilisées avec la mémoire EEPROM (mémoire en lecture seule programmable et électriquement effaçable) série.
- Les mémoires FRAM parallèles sont généralement utilisées avec la mémoire SRAM (mémoire vive statique) parallèle.
