FRAM AEC-Q100 Infineon, 64 kB, 8K x 8 bit 3000 ns 125 °C -40 °C, 8 broches, SOIC

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Code commande RS:
181-7555
Référence fabricant:
CY15B064J-SXE
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Taille de la mémoire

64ko

Type de produit

FRAM

Largeur de bus de données

8bit

Temps d'accès aléatoire maximum

3000ns

Type de montage

Surface

Fréquence d'horloge maximum

1MHz

Type de Boitier

SOIC

Nombre de broches

8

Longueur

3.8mm

Hauteur

1.5mm

Normes/homologations

No

Température d'utilisation maximum

125°C

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Standard automobile

AEC-Q100

Tension d'alimentation maximum

3.6V

Nombre de mots

8K

Nombre de bits par mot

8

Tension d'alimentation minimum

2V

Pays d'origine :
US
La mémoire vive électrique (F-RAM) ferro de 64 kbits est organisée de façon logique en 8K x 8

Lecture/écriture haute endurance 10 billions (1013)

Conservation des données 121 ans (voir le tableau de conservation et d'endurance des données)

Pas d'écriture Delay

Processus Advanced de ferromagnétique

Interface série 2 fils rapide (I2C)

Fréquence jusqu'à 1 MHz

Remplacement matériel direct pour EEPROM série (I2C)

Prend en charge les temps existants pour 100 kHz et 400 kHz

Faible consommation électrique

Courant actif de 120 °A (typ) à 100 kHz

Courant de veille 6⁄A (typ)

Fonctionnement en tension : VDD = 3 à 3,6 V.

Température automobile-E : -40 à +125 °C.

Boîtier SOIC (circuit intégré à petit contour) 8 broches

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