FRAM AEC-Q100 Infineon, 64 ko, 8K x 8 bits 3000 ns 125 °C -40 °C, 8 broches, SOIC
- Code commande RS:
- 181-7555
- Référence fabricant:
- CY15B064J-SXE
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,92 € | 9,84 € |
| 20 - 48 | 3,96 € | 7,92 € |
| 50 - 98 | 3,895 € | 7,79 € |
| 100 - 198 | 3,875 € | 7,75 € |
| 200 + | 3,46 € | 6,92 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 181-7555
- Référence fabricant:
- CY15B064J-SXE
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | FRAM | |
| Taille de la mémoire | 64ko | |
| Configuration | 8K x 8 bits | |
| Largeur de bus de données | 8bit | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 3000ns | |
| Fréquence d'horloge maximum | 1MHz | |
| Type de montage | En surface | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Longueur | 3.8mm | |
| Hauteur | 1.5mm | |
| Largeur | 4.8mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Température d'utilisation maximum | 125°C | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Standard automobile | AEC-Q100 | |
| Nombre de mots | 8K | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.6V | |
| Tension d'alimentation minimum | 2V | |
| Nombre de bits par mot | 8 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit FRAM | ||
Taille de la mémoire 64ko | ||
Configuration 8K x 8 bits | ||
Largeur de bus de données 8bit | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 3000ns | ||
Fréquence d'horloge maximum 1MHz | ||
Type de montage En surface | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Nombre de broches 8 | ||
Longueur 3.8mm | ||
Hauteur 1.5mm | ||
Largeur 4.8mm | ||
Normes/homologations No | ||
Température d'utilisation maximum 125°C | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Standard automobile AEC-Q100 | ||
Nombre de mots 8K | ||
Tension d'alimentation maximum 3.6V | ||
Tension d'alimentation minimum 2V | ||
Nombre de bits par mot 8 | ||
- Pays d'origine :
- US
La mémoire vive électrique (F-RAM) ferro de 64 kbits est organisée de façon logique en 8K x 8
Lecture/écriture haute endurance 10 billions (1013)
Conservation des données 121 ans (voir le tableau de conservation et d'endurance des données)
Pas d'écriture Delay
Processus Advanced de ferromagnétique
Interface série 2 fils rapide (I2C)
Fréquence jusqu'à 1 MHz
Remplacement matériel direct pour EEPROM série (I2C)
Prend en charge les temps existants pour 100 kHz et 400 kHz
Faible consommation électrique
Courant actif de 120 °A (typ) à 100 kHz
Courant de veille 6⁄A (typ)
Fonctionnement en tension : VDD = 3 à 3,6 V.
Température automobile-E : -40 à +125 °C.
Boîtier SOIC (circuit intégré à petit contour) 8 broches
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