FRAM AEC-Q100 Infineon, 64 ko, 8K x 8 bits 550 ns 85 °C -40 °C, 8 broches, SOIC

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

7 015,00 €

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Code commande RS:
184-0044
Référence fabricant:
FM24CL64B-GTR
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Taille de la mémoire

64ko

Type de produit

FRAM

Configuration

8K x 8 bits

Largeur de bus de données

8bit

Temps d'accès aléatoire maximum

550ns

Type de montage

En surface

Fréquence d'horloge maximum

1MHz

Type de Boitier

SOIC

Nombre de broches

8

Normes/homologations

No

Largeur

3.98mm

Hauteur

1.38mm

Longueur

4.97mm

Température d'utilisation maximum

85°C

Standard automobile

AEC-Q100

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Nombre de bits par mot

8

Tension d'alimentation maximum

3.6V

Tension d'alimentation minimum

2.7V

Nombre de mots

8K

La mémoire vive ferromagnétique (F-RAM) de 16 kbits est organisée de façon logique en 2 K x 8

Lecture/écriture haute endurance 100 billions (1014)

Conservation des données de 151 ans (voir conservation des données et endurance à la page 12)

NODELAY ® écrit

Processus ferroélectrique Advanced haute

Interface de périphérique série (SPI) très rapide

Fréquence jusqu'à 20 MHz

Remplacement direct du matériel pour la mémoire Flash série et l'EEPROM

Prend en charge le mode SPI 0 (0, 0) et le mode 3 (1, 1)

Schéma de protection en écriture sophistiqué

Protection matérielle à l'aide de la broche Write Protect (WP)

Protection logicielle à l'aide de l'instruction Write Disable

Protection de bloc logiciel pour 1/4, 1/2 ou toute la matrice

Faible consommation électrique

Courant actif de 200 à 1 MHz

Courant de veille de 3⁄A (typ)

Fonctionnement basse tension : VDD = 2,7 à 3,6 V.

Température industrielle : -40 à +85 °C.

Boîtiers

Boîtier SOIC (circuit intégré à petit contour) 8 broches

Boîtier plat double sans câble (DFN) fin à 8 broches

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