FRAM AEC-Q100 Infineon, 4 kB, 512M x 8 Bit 550 ns 85 °C -40 °C, 8 broches, SOIC

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Code commande RS:
181-8247
Référence fabricant:
FM24CL04B-GTR
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

FRAM

Taille de la mémoire

4ko

Largeur de bus de données

8bit

Temps d'accès aléatoire maximum

550ns

Fréquence d'horloge maximum

1MHz

Type de montage

Surface

Type de Boitier

SOIC

Nombre de broches

8

Normes/homologations

No

Longueur

4.97mm

Hauteur

1.38mm

Température d'utilisation maximum

85°C

Standard automobile

AEC-Q100

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Tension d'alimentation maximum

3.65V

Nombre de mots

512M

Tension d'alimentation minimum

2.7V

Nombre de bits par mot

8

La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) de 4 kbits est organisée de manière logique en 512 x 8

Lecture/écriture haute endurance 100 billions (1014)

Conservation des données de 151 ans

NODELAY ® écrit

Processus ferroélectrique Advanced haute

Interface série 2 fils rapide (I2C)

Fréquence jusqu'à 1 MHz

Remplacement matériel direct pour EEPROM série (I2C)

Prend en charge les temps existants pour 100 kHz et 400 kHz

Faible consommation électrique

Courant actif de 100 μA à 100 kHz

Courant de veille de 3⁄A (typ)

Fonctionnement en tension : VDD = 2,7 à 3,65 V.

Température industrielle : -40 à +85 °C.

Boîtier SOIC (circuit intégré à petit contour) 8 broches

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