FRAM AEC-Q100 Infineon, 4 ko, 512M x 8 bits 550 ns 85 °C -40 °C, 8 broches, SOIC
- Code commande RS:
- 181-8247
- Référence fabricant:
- FM24CL04B-GTR
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
3 510,00 €
HT
4 212,50 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 1,404 € | 3 510,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 181-8247
- Référence fabricant:
- FM24CL04B-GTR
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Taille de la mémoire | 4ko | |
| Type de produit | FRAM | |
| Configuration | 512M x 8 bits | |
| Largeur de bus de données | 8bit | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 550ns | |
| Type de montage | En surface | |
| Fréquence d'horloge maximum | 1MHz | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Largeur | 3.98mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 4.97mm | |
| Hauteur | 1.38mm | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Standard automobile | AEC-Q100 | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.65V | |
| Nombre de bits par mot | 8 | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Nombre de mots | 512M | |
| Tension d'alimentation minimum | 2.7V | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Taille de la mémoire 4ko | ||
Type de produit FRAM | ||
Configuration 512M x 8 bits | ||
Largeur de bus de données 8bit | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 550ns | ||
Type de montage En surface | ||
Fréquence d'horloge maximum 1MHz | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Nombre de broches 8 | ||
Largeur 3.98mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 4.97mm | ||
Hauteur 1.38mm | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Standard automobile AEC-Q100 | ||
Tension d'alimentation maximum 3.65V | ||
Nombre de bits par mot 8 | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Nombre de mots 512M | ||
Tension d'alimentation minimum 2.7V | ||
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) de 4 kbits est organisée de manière logique en 512 x 8
Lecture/écriture haute endurance 100 billions (1014)
Conservation des données de 151 ans
NODELAY ® écrit
Processus ferroélectrique Advanced haute
Interface série 2 fils rapide (I2C)
Fréquence jusqu'à 1 MHz
Remplacement matériel direct pour EEPROM série (I2C)
Prend en charge les temps existants pour 100 kHz et 400 kHz
Faible consommation électrique
Courant actif de 100 μA à 100 kHz
Courant de veille de 3⁄A (typ)
Fonctionnement en tension : VDD = 2,7 à 3,65 V.
Température industrielle : -40 à +85 °C.
Boîtier SOIC (circuit intégré à petit contour) 8 broches
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