FRAM AEC-Q100 Infineon, 4 kB, 512 x 8 bit 10 ns 85 °C -40 °C, 8 broches, SOIC

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Code commande RS:
215-5779
Référence fabricant:
FM24C04B-GTR
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Taille de la mémoire

4ko

Type de produit

FRAM

Largeur de bus de données

8bit

Temps d'accès aléatoire maximum

10ns

Type de montage

Surface

Fréquence d'horloge maximum

1MHz

Type de Boitier

SOIC

Nombre de broches

8

Longueur

4.97mm

Hauteur

1.48mm

Normes/homologations

No

Température d'utilisation maximum

85°C

Standard automobile

AEC-Q100

Tension d'alimentation maximum

5.5V

Nombre de mots

512

Nombre de bits par mot

8

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Tension d'alimentation minimum

4.5V

Le Cypress Semiconductor FM24C04B est une mémoire non volatile de 4 kbits utilisant un processus ferromélectrique Advanced. Une mémoire vive ferroélectrique ou F-RAM est non volatile et exécute des lectures et des écritures similaires à une RAM. Il fournit une rétention de données fiable pendant 151 ans tout en éliminant les complexités, les surcharges et les problèmes de fiabilité au niveau du système causés par l'EEPROM et d'autres mémoires non volatiles.

La mémoire vive ferro-électrique (F-RAM) de 4 kbits est organisée de manière logique en 512 x 8

Lecture/écriture haute endurance 100 billions (1014)

Conservation des données de 151 ans

NODELAY ® écrit

Processus ferromélectrique Advanced haute

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