FRAM AEC-Q100 Infineon, 4 kB, 512 x 8 bit 10 ns 85 °C -40 °C, 8 broches, SOIC
- Code commande RS:
- 215-5779
- Référence fabricant:
- FM24C04B-GTR
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
6,82 €
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 + | 1,364 € | 6,82 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 215-5779
- Référence fabricant:
- FM24C04B-GTR
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | FRAM | |
| Taille de la mémoire | 4kB | |
| Configuration | 512 x 8 bit | |
| Largeur de bus de données | 8bit | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 10ns | |
| Type de montage | Surface | |
| Fréquence d'horloge maximum | 1MHz | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Largeur | 3.98 mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.48mm | |
| Longueur | 4.97mm | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Nombre de bits par mot | 8 | |
| Nombre de mots | 512 | |
| Standard automobile | AEC-Q100 | |
| Tension d'alimentation maximum | 5.5V | |
| Tension d'alimentation minimum | 4.5V | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit FRAM | ||
Taille de la mémoire 4kB | ||
Configuration 512 x 8 bit | ||
Largeur de bus de données 8bit | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 10ns | ||
Type de montage Surface | ||
Fréquence d'horloge maximum 1MHz | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Nombre de broches 8 | ||
Largeur 3.98 mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.48mm | ||
Longueur 4.97mm | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Nombre de bits par mot 8 | ||
Nombre de mots 512 | ||
Standard automobile AEC-Q100 | ||
Tension d'alimentation maximum 5.5V | ||
Tension d'alimentation minimum 4.5V | ||
Le Cypress Semiconductor FM24C04B est une mémoire non volatile de 4 kbits utilisant un processus ferromélectrique Advanced. Une mémoire vive ferroélectrique ou F-RAM est non volatile et exécute des lectures et des écritures similaires à une RAM. Il fournit une rétention de données fiable pendant 151 ans tout en éliminant les complexités, les surcharges et les problèmes de fiabilité au niveau du système causés par l'EEPROM et d'autres mémoires non volatiles.
La mémoire vive ferro-électrique (F-RAM) de 4 kbits est organisée de manière logique en 512 x 8
Lecture/écriture haute endurance 100 billions (1014)
Conservation des données de 151 ans
NODELAY ® écrit
Processus ferromélectrique Advanced haute