FRAM AEC-Q100, SPI Infineon, 4 ko, 512 x 8 bits 20 ns 85 °C -40 °C, 8 broches, SOIC
- Code commande RS:
- 188-5409
- Référence fabricant:
- FM25040B-G
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 97 - 97 | 2,316 € | 224,65 € |
| 194 - 194 | 2,246 € | 217,86 € |
| 291 + | 2,154 € | 208,94 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 188-5409
- Référence fabricant:
- FM25040B-G
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Taille de la mémoire | 4ko | |
| Type de produit | FRAM | |
| Configuration | 512 x 8 bits | |
| Type d'interface | SPI | |
| Largeur de bus de données | 8bit | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 20ns | |
| Fréquence d'horloge maximum | 20MHz | |
| Type de montage | En surface | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Largeur | 3.98mm | |
| Longueur | 4.97mm | |
| Hauteur | 1.38mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Tension d'alimentation minimum | 4.5V | |
| Nombre de mots | 512 | |
| Standard automobile | AEC-Q100 | |
| Tension d'alimentation maximum | 5.5V | |
| Nombre de bits par mot | 8 | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Taille de la mémoire 4ko | ||
Type de produit FRAM | ||
Configuration 512 x 8 bits | ||
Type d'interface SPI | ||
Largeur de bus de données 8bit | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 20ns | ||
Fréquence d'horloge maximum 20MHz | ||
Type de montage En surface | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Nombre de broches 8 | ||
Largeur 3.98mm | ||
Longueur 4.97mm | ||
Hauteur 1.38mm | ||
Normes/homologations No | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Tension d'alimentation minimum 4.5V | ||
Nombre de mots 512 | ||
Standard automobile AEC-Q100 | ||
Tension d'alimentation maximum 5.5V | ||
Nombre de bits par mot 8 | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
- Pays d'origine :
- US
FRAM, Cypress Semiconductor
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) est éco-énergétique et offre la plus grande fiabilité en termes de RAM non volatile à la fois pour les interfaces série et parallèle. Les pièces avec le suffixe A sont conçues pour les applications automobiles et sont certifiées AEC-Q100.
Mémoire vive ferroélectrique non volatile
Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
Faible consommation électrique
FRAM (RAM ferroélectrique)
La FRAM (mémoire vive ferroélectrique) est une mémoire non volatile qui utilise un film ferroélectrique comme condensateur pour stocker les données. Les périphériques ROM et RAM, F-RAM présentent les caractéristiques suivantes : un accès haut débit, une grande endurance en mode d'écriture, une consommation réduite, la non-volatilité et une excellente résistance aux violations. Il s'agit de la mémoire idéale pour les cartes à puce qui requièrent un niveau de sécurité élevé et une consommation réduite, tout comme les téléphones portables et d'autres périphériques.
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