FRAM AEC-Q100, SPI Infineon, 512 kB, 64k x 8 Bit 18 ns 85 °C -40 °C, 8 broches, SOIC

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Code commande RS:
125-4227
Référence fabricant:
FM25V05-G
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

FRAM

Taille de la mémoire

512ko

Type d'interface

SPI

Largeur de bus de données

8bit

Temps d'accès aléatoire maximum

18ns

Fréquence d'horloge maximum

40MHz

Type de montage

Surface

Type de Boitier

SOIC

Nombre de broches

8

Hauteur

1.38mm

Longueur

4.97mm

Normes/homologations

No

Température d'utilisation maximum

85°C

Nombre de mots

64K

Standard automobile

AEC-Q100

Tension d'alimentation maximum

3.6V

Nombre de bits par mot

8

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Tension d'alimentation minimum

2V

FRAM, Cypress Semiconductor


La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) est éco-énergétique et offre la plus grande fiabilité en termes de RAM non volatile à la fois pour les interfaces série et parallèle. Les pièces avec le suffixe A sont conçues pour les applications automobiles et sont certifiées AEC-Q100.

Mémoire vive ferroélectrique non volatile

Vitesse d'écriturerapide

Enduranceélevée

Faible consommation électrique

FRAM (RAM ferroélectrique)


La FRAM (mémoire vive ferroélectrique) est une mémoire non volatile qui utilise un film ferroélectrique comme condensateur pour stocker les données. Les périphériques ROM et RAM, F-RAM présentent les caractéristiques suivantes : un accès haut débit, une grande endurance en mode d'écriture, une consommation réduite, la non-volatilité et une excellente résistance aux violations. Il s'agit de la mémoire idéale pour les cartes à puce qui requièrent un niveau de sécurité élevé et une consommation réduite, tout comme les téléphones portables et d'autres périphériques.

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