FRAM Non, SPI Infineon, 4 Mo, 512 Ko x 8 bits 16 ns 85 °C -40 °C, 8 broches, DFN

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Code commande RS:
181-1574
Référence fabricant:
CY15B104Q-LHXI
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Taille de la mémoire

4Mo

Type de produit

FRAM

Configuration

512 Ko x 8 bits

Type d'interface

SPI

Largeur de bus de données

8bit

Temps d'accès aléatoire maximum

16ns

Type de montage

En surface

Fréquence d'horloge maximum

40MHz

Type de Boitier

DFN

Nombre de broches

8

Longueur

5mm

Hauteur

0.75mm

Normes/homologations

No

Largeur

6mm

Température d'utilisation maximum

85°C

Tension d'alimentation maximum

3.6V

Standard automobile

Non

Nombre de mots

512K

Tension d'alimentation minimum

2V

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Nombre de bits par mot

8

La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) de 4 Mbits est logique

Organisé en 512 K x 8

Lecture/écriture haute endurance 100 billions (1014)

Conservation des données de 151 ans

NODELAY ® écrit

Processus ferroélectrique Advanced haute

Interface de périphérique série (SPI) très rapide

Fréquence jusqu'à 40 MHz

Remplacement direct du matériel pour la mémoire Flash série et l'EEPROM

Prend en charge le mode SPI 0 (0, 0) et le mode 3 (1, 1)

Schéma de protection en écriture sophistiqué

Protection matérielle à l'aide de la broche Write Protect (WP)

Protection logicielle à l'aide de l'instruction Write Disable

Protection de bloc logiciel pour 1/4, 1/2 ou toute la matrice

ID du dispositif

ID du fabricant et ID du produit

Faible consommation électrique

Courant actif de 300 à 1 MHz

Courant de veille de 100 A (typ)

Courant de mode veille 3⁄A (typ)

Fonctionnement basse tension : VDD = 2 à 3,6 V.

Température industrielle : -40 à +85 °C.

Boîtiers

Boîtier SOIC (circuit intégré à petit contour) 8 broches

Boîtier sans fil plat double fin 8 broches (TDFN)

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