FRAM Non, SPI Infineon, 4 Mo, 512 Ko x 8 bits 16 ns 85 °C -40 °C, 8 broches, DFN
- Code commande RS:
- 181-1548
- Référence fabricant:
- CY15B104Q-LHXI
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 74 - 74 | 21,549 € | 1 594,63 € |
| 148 - 296 | 21,118 € | 1 562,73 € |
| 370 + | 20,687 € | 1 530,84 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 181-1548
- Référence fabricant:
- CY15B104Q-LHXI
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | FRAM | |
| Taille de la mémoire | 4Mo | |
| Configuration | 512 Ko x 8 bits | |
| Type d'interface | SPI | |
| Largeur de bus de données | 8bit | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 16ns | |
| Type de montage | En surface | |
| Fréquence d'horloge maximum | 40MHz | |
| Type de Boitier | DFN | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Hauteur | 0.75mm | |
| Longueur | 5mm | |
| Largeur | 6mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Nombre de mots | 512K | |
| Standard automobile | Non | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.6V | |
| Nombre de bits par mot | 8 | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension d'alimentation minimum | 2V | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit FRAM | ||
Taille de la mémoire 4Mo | ||
Configuration 512 Ko x 8 bits | ||
Type d'interface SPI | ||
Largeur de bus de données 8bit | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 16ns | ||
Type de montage En surface | ||
Fréquence d'horloge maximum 40MHz | ||
Type de Boitier DFN | ||
Nombre de broches 8 | ||
Hauteur 0.75mm | ||
Longueur 5mm | ||
Largeur 6mm | ||
Normes/homologations No | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Nombre de mots 512K | ||
Standard automobile Non | ||
Tension d'alimentation maximum 3.6V | ||
Nombre de bits par mot 8 | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension d'alimentation minimum 2V | ||
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) de 4 Mbits est logique
Organisé en 512 K x 8
Lecture/écriture haute endurance 100 billions (1014)
Conservation des données de 151 ans
NODELAY ® écrit
Processus ferroélectrique Advanced haute
Interface de périphérique série (SPI) très rapide
Fréquence jusqu'à 40 MHz
Remplacement direct du matériel pour la mémoire Flash série et l'EEPROM
Prend en charge le mode SPI 0 (0, 0) et le mode 3 (1, 1)
Schéma de protection en écriture sophistiqué
Protection matérielle à l'aide de la broche Write Protect (WP)
Protection logicielle à l'aide de l'instruction Write Disable
Protection de bloc logiciel pour 1/4, 1/2 ou toute la matrice
ID du dispositif
ID du fabricant et ID du produit
Faible consommation électrique
Courant actif de 300 à 1 MHz
Courant de veille de 100 A (typ)
Courant de mode veille 3⁄A (typ)
Fonctionnement basse tension : VDD = 2 à 3,6 V.
Température industrielle : -40 à +85 °C.
Boîtiers
Boîtier SOIC (circuit intégré à petit contour) 8 broches
Boîtier sans fil plat double fin 8 broches (TDFN)