FRAM AEC-Q100, SPI Infineon, 4 ko, 512M x 8 bits 20 ns 85 °C -40 °C, 8 broches, SOIC
- Code commande RS:
- 181-8248
- Référence fabricant:
- FM25L04B-GTR
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
4 752,50 €
HT
5 702,50 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 1,901 € | 4 752,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 181-8248
- Référence fabricant:
- FM25L04B-GTR
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | FRAM | |
| Taille de la mémoire | 4ko | |
| Configuration | 512M x 8 bits | |
| Type d'interface | SPI | |
| Largeur de bus de données | 8bit | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 20ns | |
| Type de montage | En surface | |
| Fréquence d'horloge maximum | 20MHz | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 4.97mm | |
| Largeur | 3.98mm | |
| Hauteur | 1.38mm | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.6V | |
| Nombre de bits par mot | 8 | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension d'alimentation minimum | 2.7V | |
| Nombre de mots | 512M | |
| Standard automobile | AEC-Q100 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit FRAM | ||
Taille de la mémoire 4ko | ||
Configuration 512M x 8 bits | ||
Type d'interface SPI | ||
Largeur de bus de données 8bit | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 20ns | ||
Type de montage En surface | ||
Fréquence d'horloge maximum 20MHz | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Nombre de broches 8 | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 4.97mm | ||
Largeur 3.98mm | ||
Hauteur 1.38mm | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Tension d'alimentation maximum 3.6V | ||
Nombre de bits par mot 8 | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension d'alimentation minimum 2.7V | ||
Nombre de mots 512M | ||
Standard automobile AEC-Q100 | ||
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) de 4 kbits est organisée de manière logique en 512 x 8
Lecture/écriture haute endurance 100 billions (1014)
Conservation des données de 151 ans par NODELAY
Processus ferroélectrique Advanced haute
Interface de périphérique série (SPI) très rapide
Fréquence jusqu'à 20 MHz
Remplacement direct du matériel pour la mémoire Flash série et l'EEPROM
Prend en charge le mode SPI 0 (0, 0) et le mode 3 (1, 1)
Schéma de protection en écriture sophistiqué
Protection matérielle à l'aide de la broche Write Protect (WP)
Protection logicielle à l'aide de l'instruction Write Disable
Protection de bloc logiciel pour 1/4, 1/2 ou toute la matrice
Faible consommation électrique
Courant actif de 200 à 1 MHz
Courant de veille de 3⁄A (typ)
Fonctionnement basse tension : VDD = 2,7 à 3,6 V.
Température industrielle : -40 à +85 °C.
Boîtiers
Boîtier SOIC (circuit intégré à petit contour) 8 broches
Boîtier plat double sans câble (DFN) fin à 8 broches
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