FRAM AEC-Q100, SPI Infineon, 16 ko, 2 K x 8 bits 20 ns 85 °C -40 °C, 8 broches, SOIC

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Code commande RS:
184-0068
Référence fabricant:
FM25L16B-GTR
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

FRAM

Taille de la mémoire

16ko

Configuration

2 K x 8 bits

Type d'interface

SPI

Largeur de bus de données

8bit

Temps d'accès aléatoire maximum

20ns

Fréquence d'horloge maximum

20MHz

Type de montage

En surface

Type de Boitier

SOIC

Nombre de broches

8

Hauteur

1.48mm

Longueur

4.97mm

Normes/homologations

No

Largeur

3.98mm

Température d'utilisation maximum

85°C

Standard automobile

AEC-Q100

Nombre de bits par mot

8

Tension d'alimentation maximum

3.6V

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Tension d'alimentation minimum

2.7V

Nombre de mots

2k

La mémoire vive ferromagnétique (F-RAM) de 16 kbits est organisée de façon logique en 2 K x 8

Lecture/écriture haute endurance 100 billions (1014)

Conservation des données de 151 ans (voir conservation des données et endurance à la page 12)

NODELAY ® écrit

Processus ferroélectrique Advanced haute

Interface de périphérique série (SPI) très rapide

Fréquence jusqu'à 20 MHz

Remplacement direct du matériel pour la mémoire Flash série et l'EEPROM

Prend en charge le mode SPI 0 (0, 0) et le mode 3 (1, 1)

Schéma de protection en écriture sophistiqué

Protection matérielle à l'aide de la broche Write Protect (WP)

Protection logicielle à l'aide de l'instruction Write Disable

Protection de bloc logiciel pour 1/4, 1/2 ou toute la matrice

Faible consommation électrique

Courant actif de 200 μA à 1 MHz

Courant de veille de 3 μA(typ)

Fonctionnement basse tension : VDD = 2,7 à 3,6 V.

Température industrielle : -40 à +85 °C.

Boîtiers

Boîtier SOIC (circuit intégré à petit contour) 8 broches

Boîtier plat double sans câble (DFN) fin à 8 broches

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