FRAM AEC-Q100, SPI Infineon, 16 ko, 2 K x 8 bits 5 ns 85 °C -40 °C, 8 broches, SOIC
- Code commande RS:
- 215-5780
- Référence fabricant:
- FM25C160B-GTR
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 1,512 € | 3 780,00 € |
| 5000 + | 1,488 € | 3 720,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 215-5780
- Référence fabricant:
- FM25C160B-GTR
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | FRAM | |
| Taille de la mémoire | 16ko | |
| Configuration | 2 K x 8 bits | |
| Type d'interface | SPI | |
| Largeur de bus de données | 8bit | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 5ns | |
| Fréquence d'horloge maximum | 20MHz | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Largeur | 3.98mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.38mm | |
| Longueur | 4.97mm | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Tension d'alimentation maximum | 5.5V | |
| Standard automobile | AEC-Q100 | |
| Nombre de mots | 2 | |
| Tension d'alimentation minimum | 4.5V | |
| Nombre de bits par mot | 8 | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit FRAM | ||
Taille de la mémoire 16ko | ||
Configuration 2 K x 8 bits | ||
Type d'interface SPI | ||
Largeur de bus de données 8bit | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 5ns | ||
Fréquence d'horloge maximum 20MHz | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Nombre de broches 8 | ||
Largeur 3.98mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.38mm | ||
Longueur 4.97mm | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Tension d'alimentation maximum 5.5V | ||
Standard automobile AEC-Q100 | ||
Nombre de mots 2 | ||
Tension d'alimentation minimum 4.5V | ||
Nombre de bits par mot 8 | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Le Cypress Semiconductor FM25C160B est une mémoire non volatile de 16 kbits utilisant un processus ferromélectrique Advanced. Une mémoire vive ferroélectrique ou F-RAM est non volatile et exécute des lectures et des écritures similaires à une RAM. Il fournit une rétention de données fiable pendant 151 ans tout en éliminant les complexités, les surcharges et les problèmes de fiabilité au niveau du système causés par la mémoire Flash série, l'EEPROM et d'autres mémoires non volatiles.
Mémoire d'accès aléatoire (F-RAM) ferro-électrique de 16 kbits organisée de façon logique en 2 K. x 8
Lecture/écriture haute endurance 100 billions (1014)
Conservation des données de 151 ans
NODELAY ® écrit
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