FRAM AEC-Q100, SPI Infineon, 16 kB, 2K x 8 bit 5 ns 85 °C -40 °C, 8 broches, SOIC

Prix dégressifs sur quantité

Sous-total (1 tube de 2500 unités)*

2 880,00 €

HT

3 455,00 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 28 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
le tube*
2500 - 25001,152 €2 880,00 €
5000 +1,134 €2 835,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
215-5780
Référence fabricant:
FM25C160B-GTR
Marque:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Taille de la mémoire

16kB

Type de produit

FRAM

Configuration

2K x 8 bit

Type d'interface

SPI

Largeur de bus de données

8bit

Temps d'accès aléatoire maximum

5ns

Fréquence d'horloge maximum

20MHz

Type de Boitier

SOIC

Nombre de broches

8

Largeur

3.98 mm

Longueur

4.97mm

Hauteur

1.38mm

Normes/homologations

No

Température d'utilisation maximum

85°C

Tension d'alimentation maximum

5.5V

Nombre de mots

2

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Standard automobile

AEC-Q100

Nombre de bits par mot

8

Tension d'alimentation minimum

4.5V

Le Cypress Semiconductor FM25C160B est une mémoire non volatile de 16 kbits utilisant un processus ferromélectrique Advanced. Une mémoire vive ferroélectrique ou F-RAM est non volatile et exécute des lectures et des écritures similaires à une RAM. Il fournit une rétention de données fiable pendant 151 ans tout en éliminant les complexités, les surcharges et les problèmes de fiabilité au niveau du système causés par la mémoire Flash série, l'EEPROM et d'autres mémoires non volatiles.

Mémoire d'accès aléatoire (F-RAM) ferro-électrique de 16 kbits organisée de façon logique en 2 K. x 8

Lecture/écriture haute endurance 100 billions (1014)

Conservation des données de 151 ans

NODELAY ® écrit

Nos clients ont également consulté