FRAM AEC-Q100 grade 1, Série SPI Infineon, 16 kB, 2K x 8 bit 125 °C -40 °C, 8 broches, SOIC-8
- Code commande RS:
- 273-5255
- Référence fabricant:
- CY15B016Q-SXET
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
4 500,00 €
HT
5 400,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 1,80 € | 4 500,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 273-5255
- Référence fabricant:
- CY15B016Q-SXET
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | FRAM | |
| Taille de la mémoire | 16kB | |
| Configuration | 2K x 8 bit | |
| Type d'interface | Série SPI | |
| Largeur de bus de données | 8bit | |
| Fréquence d'horloge maximum | 16MHz | |
| Type de Boitier | SOIC-8 | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Température d'utilisation maximum | 125°C | |
| Tension d'alimentation minimum | 3V | |
| Standard automobile | AEC-Q100 grade 1 | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.6V | |
| Nombre de mots | 2k x 8 | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit FRAM | ||
Taille de la mémoire 16kB | ||
Configuration 2K x 8 bit | ||
Type d'interface Série SPI | ||
Largeur de bus de données 8bit | ||
Fréquence d'horloge maximum 16MHz | ||
Type de Boitier SOIC-8 | ||
Nombre de broches 8 | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Température d'utilisation maximum 125°C | ||
Tension d'alimentation minimum 3V | ||
Standard automobile AEC-Q100 grade 1 | ||
Tension d'alimentation maximum 3.6V | ||
Nombre de mots 2k x 8 | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
La mémoire FRAM d'Infineon est une mémoire non volatile de 16 Kbits utilisant un processus ferroélectrique avancé. Une mémoire à accès aléatoire ferroélectrique ou FRAM est non volatile et effectue des lectures et des écritures similaires à celles d'une RAM. Il fournit une rétention de données fiable pendant 121 ans tout en éliminant la complexité, les problèmes de surcharge et de fiabilité au niveau du système causés par la mémoire Flash série, l'EEPROM et d'autres mémoires non volatiles.
Conforme à la directive RoHS
Fonctionnement basse tension
Faible consommation d'énergie
Conforme à AEC Q100 classe 1
Interface périphérique série très rapide
Schéma de protection en écriture sophistiqué
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