FRAM AEC-Q100 grade 1, Série SPI Infineon, 16 kB, 2K x 8 bit 125 °C -40 °C, 8 broches, SOIC-8
- Code commande RS:
- 273-5256
- Référence fabricant:
- CY15B016Q-SXET
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 1,775 € | 3,55 € |
| 50 - 98 | 1,60 € | 3,20 € |
| 100 - 248 | 1,445 € | 2,89 € |
| 250 - 998 | 1,41 € | 2,82 € |
| 1000 + | 1,375 € | 2,75 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 273-5256
- Référence fabricant:
- CY15B016Q-SXET
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Taille de la mémoire | 16kB | |
| Type de produit | FRAM | |
| Configuration | 2K x 8 bit | |
| Type d'interface | Série SPI | |
| Largeur de bus de données | 8bit | |
| Fréquence d'horloge maximum | 16MHz | |
| Type de Boitier | SOIC-8 | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Température d'utilisation maximum | 125°C | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.6V | |
| Standard automobile | AEC-Q100 grade 1 | |
| Tension d'alimentation minimum | 3V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Nombre de mots | 2k x 8 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Taille de la mémoire 16kB | ||
Type de produit FRAM | ||
Configuration 2K x 8 bit | ||
Type d'interface Série SPI | ||
Largeur de bus de données 8bit | ||
Fréquence d'horloge maximum 16MHz | ||
Type de Boitier SOIC-8 | ||
Nombre de broches 8 | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Température d'utilisation maximum 125°C | ||
Tension d'alimentation maximum 3.6V | ||
Standard automobile AEC-Q100 grade 1 | ||
Tension d'alimentation minimum 3V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Nombre de mots 2k x 8 | ||
La mémoire FRAM d'Infineon est une mémoire non volatile de 16 Kbits utilisant un processus ferroélectrique avancé. Une mémoire à accès aléatoire ferroélectrique ou FRAM est non volatile et effectue des lectures et des écritures similaires à celles d'une RAM. Il fournit une rétention de données fiable pendant 121 ans tout en éliminant la complexité, les problèmes de surcharge et de fiabilité au niveau du système causés par la mémoire Flash série, l'EEPROM et d'autres mémoires non volatiles.
Conforme à la directive RoHS
Fonctionnement basse tension
Faible consommation d'énergie
Conforme à AEC Q100 classe 1
Interface périphérique série très rapide
Schéma de protection en écriture sophistiqué
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