FRAM AEC-Q100 grade 1, Série SPI Infineon, 2 Mo, 256K x 8 bits 125 °C -40 °C, 8 broches, SOIC-8
- Code commande RS:
- 273-7316
- Référence fabricant:
- CY15B102QN-50SXE
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 273-7316
- Référence fabricant:
- CY15B102QN-50SXE
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | FRAM | |
| Taille de la mémoire | 2Mo | |
| Configuration | 256K x 8 bits | |
| Type d'interface | Série SPI | |
| Largeur de bus de données | 8bit | |
| Fréquence d'horloge maximum | 50MHz | |
| Type de Boitier | SOIC-8 | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Température d'utilisation maximum | 125°C | |
| Tension d'alimentation minimum | 1.71V | |
| Nombre de bits par mot | 8 | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Nombre de mots | 256K | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.6V | |
| Standard automobile | AEC-Q100 grade 1 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit FRAM | ||
Taille de la mémoire 2Mo | ||
Configuration 256K x 8 bits | ||
Type d'interface Série SPI | ||
Largeur de bus de données 8bit | ||
Fréquence d'horloge maximum 50MHz | ||
Type de Boitier SOIC-8 | ||
Nombre de broches 8 | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Température d'utilisation maximum 125°C | ||
Tension d'alimentation minimum 1.71V | ||
Nombre de bits par mot 8 | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Nombre de mots 256K | ||
Tension d'alimentation maximum 3.6V | ||
Standard automobile AEC-Q100 grade 1 | ||
La FRAM d'Infineon est une mémoire non volatile de 2 Mo de qualité automobile utilisant un processus ferroélectrique avancé. Une mémoire ferroélectrique à accès aléatoire (FRAM) est non volatile et effectue des lectures et des écritures similaires à celles d'une mémoire vive (RAM). Elle permet une conservation fiable des données pendant 121 ans tout en éliminant les complexités, les frais généraux et les problèmes de fiabilité au niveau du système causés par les mémoires flash en série, EEPROM et autres mémoires non volatiles.
Conforme à la directive RoHS
Fonctionnement basse tension
Faible consommation d'énergie
Conforme à AEC Q100 classe 1
Schéma sophistiqué de protection en écriture
Protection logicielle à l'aide d'une instruction de désactivation en écriture
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