FRAM AEC-Q100 Infineon, 64 ko, 8K x 8 bits 3000 ns 125 °C -40 °C, 8 broches, SOIC

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Code commande RS:
181-7438
Référence fabricant:
CY15B064J-SXE
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Taille de la mémoire

64ko

Type de produit

FRAM

Configuration

8K x 8 bits

Largeur de bus de données

8bit

Temps d'accès aléatoire maximum

3000ns

Type de montage

En surface

Fréquence d'horloge maximum

1MHz

Type de Boitier

SOIC

Nombre de broches

8

Hauteur

1.5mm

Longueur

3.8mm

Largeur

4.8mm

Normes/homologations

No

Température d'utilisation maximum

125°C

Standard automobile

AEC-Q100

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Tension d'alimentation maximum

3.6V

Nombre de mots

8K

Tension d'alimentation minimum

2V

Nombre de bits par mot

8

Pays d'origine :
US
La mémoire vive électrique (F-RAM) ferro de 64 kbits est organisée de façon logique en 8K x 8

Lecture/écriture haute endurance 10 billions (1013)

Conservation des données 121 ans (voir le tableau de conservation et d'endurance des données)

Pas d'écriture Delay

Processus Advanced de ferromagnétique

Interface série 2 fils rapide (I2C)

Fréquence jusqu'à 1 MHz

Remplacement matériel direct pour EEPROM série (I2C)

Prend en charge les temps existants pour 100 kHz et 400 kHz

Faible consommation électrique

Courant actif de 120 °A (typ) à 100 kHz

Courant de veille 6⁄A (typ)

Fonctionnement en tension : VDD = 3 à 3,6 V.

Température automobile-E : -40 à +125 °C.

Boîtier SOIC (circuit intégré à petit contour) 8 broches

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