Références fabricant

FRAM AEC-Q100, I2C 2 fils Infineon, 64 ko, 8K x 8 bits 550 ns 85 °C -40 °C, 8 broches, SOIC

Code commande RS:: 125-4209
Référence fabricant:: FM24C64B-G
Marque:: Infineon

FRAM AEC-Q100, I2C 2 fils Infineon, 64 ko, 8K x 8 bits 550 ns 85 °C -40 °C, 8 broches, SOIC

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Code commande RS:: 125-4209
Référence fabricant:: FM24C64B-G
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Taille de la mémoire	64ko
	Type de produit	FRAM
	Configuration	8K x 8 bits
	Type d'interface	I2C 2 fils
	Largeur de bus de données	8bit
	Temps d'accès aléatoire maximum	550ns
	Type de montage	En surface
	Fréquence d'horloge maximum	1MHz
	Type de Boitier	SOIC
	Nombre de broches	8
	Normes/homologations	No
	Largeur	3.98mm
	Hauteur	1.38mm
	Longueur	4.97mm
	Température d'utilisation maximum	85°C
	Tension d'alimentation maximum	5.5V
	Standard automobile	AEC-Q100
	Température minimum de fonctionnemen	-40°C
	Nombre de mots	8K
	Tension d'alimentation minimum	4.5V
	Nombre de bits par mot	8

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Taille de la mémoire 64ko
	Type de produit FRAM
	Configuration 8K x 8 bits
	Type d'interface I2C 2 fils
	Largeur de bus de données 8bit
	Temps d'accès aléatoire maximum 550ns
	Type de montage En surface
	Fréquence d'horloge maximum 1MHz
	Type de Boitier SOIC
	Nombre de broches 8
	Normes/homologations No
	Largeur 3.98mm
	Hauteur 1.38mm
	Longueur 4.97mm
	Température d'utilisation maximum 85°C
	Tension d'alimentation maximum 5.5V
	Standard automobile AEC-Q100
	Température minimum de fonctionnemen -40°C
	Nombre de mots 8K
	Tension d'alimentation minimum 4.5V
	Nombre de bits par mot 8

FM24C64B-G Datasheet

FRAM, Cypress Semiconductor

La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) est éco-énergétique et offre la plus grande fiabilité en termes de RAM non volatile à la fois pour les interfaces série et parallèle. Les pièces avec le suffixe A sont conçues pour les applications automobiles et sont certifiées AEC-Q100.

Mémoire vive ferroélectrique non volatile

Vitesse d'écriturerapide

Enduranceélevée

Faible consommation électrique

FRAM (RAM ferroélectrique)

La FRAM (mémoire vive ferroélectrique) est une mémoire non volatile qui utilise un film ferroélectrique comme condensateur pour stocker les données. Les périphériques ROM et RAM, F-RAM présentent les caractéristiques suivantes : un accès haut débit, une grande endurance en mode d'écriture, une consommation réduite, la non-volatilité et une excellente résistance aux violations. Il s'agit de la mémoire idéale pour les cartes à puce qui requièrent un niveau de sécurité élevé et une consommation réduite, tout comme les téléphones portables et d'autres périphériques.

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