Amplificateur RF, Infineon Faible bruit 18.1 dB,6 broches 2690 MHz TSNP

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Code commande RS:
258-0656
Référence fabricant:
BGA5H1BN6E6327XTSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Fréquence de fonctionnement

2690 MHz

Type de produit

Amplificateur RF

Type d'amplificateur

Faible bruit

Technologie

Silicium Germanium

Gain

18.1dB

Tension d'alimentation minimum

1.5V

Type de Boitier

TSNP

Tension d'alimentation maximum

3.6V

Nombre de broches

6

Facteur de bruit

1.2dB

Interception de troisième ordre OIP3

-6dBm

Température minimum de fonctionnement

-40°C

P1dB - Point de compression

60mW

Température d'utilisation maximum

85°C

Normes/homologations

JEDEC47/20/22

Standard automobile

Non

Série

BGA5H1BN6

L'amplificateur à faible bruit à gain élevé d'Infineon pour LTE haute bande est une vitesse de transmission LTE qui peut être considérablement améliorée en utilisant l'amplificateur à faible bruit. La fonction de dérivation intégrée

augmente la plage dynamique globale du système et conduit à une plus grande flexibilité dans le front-end RF. En mode de gain élevé, le LNA offre le meilleur chiffre de bruit pour garantir des vitesses de transmission élevées, même sur le bord de la cellule LTE. Plus proche de la station de base, le mode de dérivation peut être activé pour réduire la consommation de courant.

Faible consommation de courant de 8,5 mA

Commande multi-état : mode de dérivation et gain élevé

Boîtier sans câble TSNP-6-10 ultra-compact

Sortie RF correspondante interne à 50 ohms

Faible nombre de composants externes

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