Jonction au silicium Non Nexperia, Simple, 400 mA 250 V, 3 broches, SOT-23
- Code commande RS:
- 785-414
- Référence fabricant:
- BAS21,215
- Marque:
- Nexperia
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- Code commande RS:
- 785-414
- Référence fabricant:
- BAS21,215
- Marque:
- Nexperia
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Type de produit | Jonction au silicium | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Courant direct maximum If | 400mA | |
| Sous type | Jonction au silicium | |
| Type de montage | En surface | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Tension directe maximale Vf | 1.25V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 250mW | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 1.7A | |
| Température minimum de fonctionnement | -65°C | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 50ns | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 250V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 1mm | |
| Longueur | 3mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Série | BAS21 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Type de produit Jonction au silicium | ||
Configuration de diode Simple | ||
Courant direct maximum If 400mA | ||
Sous type Jonction au silicium | ||
Type de montage En surface | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Nombre de broches 3 | ||
Tension directe maximale Vf 1.25V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 250mW | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 1.7A | ||
Température minimum de fonctionnement -65°C | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 50ns | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 250V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 1mm | ||
Longueur 3mm | ||
Normes/homologations No | ||
Série BAS21 | ||
Standard automobile Non | ||
Solutions pour les systèmes haute tension. Fabriquées en technologie planaire, nos diodes ≥ 100 V offrent une vitesse de commutation jusqu'à 4 ns (max.). Elles prennent en charge les conceptions de circuit haute densité personnalisées, encapsulées dans un boîtier scellé hermétiquement.
Diode de commutation haute tension, encapsulée dans un petit boîtier en plastique SOT23 à montage en surface (CMS).
Grande vitesse de commutation : trr ≤50 ns
Faible courant de fuite
Tension inverse VR ≤ 200 V
Faible capacité : Cd ≤5 pF
Petit boîtier plastique CMS
Applications
Commutation ultrarapide à haute tension
Commutation haute tension à usage général
Blocage de tension
Protection contre les inversions de polarité
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